[工学]第8章_MCS-51单片机的系统扩展技术.pptVIP

第8章 MCS-51单片机的系统扩展技术 由于MCS-51单片机片内的ROM和RAM容量、并行I/O端口、串行口、定时器及中断源等资源有限，且相对多的芯片内部没有集成A/D和D/A等功能芯片。在实际应用中经常要考虑人机接口、参数检测、系统监控、报警等需要，会出现内部资源不够用的情况。因此系统扩展是单片机应用系统设计时经常遇到的问题。 系统扩展问题，内容主要有外部存储器的扩展和I/O接口部件的扩展。 8.1 概述 MCS-51单片机的最小应用系统 MCS-51单片机的最小应用系统 8.2 MCS-51并行扩展概述 8.2 MCS-51并行扩展概述 8.2 MCS-51并行扩展概述 MCS-51单片机系统地址分配 MCS-51单片机系统地址分配 线选法 利用单片机高位地址总线作为存储器芯片（或I/O接口芯片）的片选信号，即将P2口的某一根地址线与扩展芯片的片选引脚直接相连，该地址线为低电平时，选中该芯片。 线选法 线选法 译码法 译码法 译码法 地址锁存 存储器扩展 8.4 程序存储器ROM扩展 4.2.1 程序存储器ROM扩展 8.5 读写存储器RAM扩展 8.5.2 读写片外RAM操作时序 8.5.2 读写片外RAM操作时序 8.5.2 读写片外RAM操作时序 8.5.3 典型RAM扩展电路 8.5.3 典型RAM扩展电路 8.6 RAM和EPROM的综合扩展 各芯片地址空间分配 控制信号及片选信号 8.6 RAM和EPROM的综合扩展 8.6 RAM和EPROM的综合扩展 8.7 EEPROM的扩展 8.7.1 常见EEPROM芯片 8.7.1 常见EEPROM芯片 典型FLASH存储器扩展电路 8031和FLASH存储器AT29LV040A的连接 扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM。RAM选6264，EPROM选2764。 EEPROM是电可擦除可编程ROM，突出特点是可以在线擦除和改写，且不需专用的编程电源，新型EEPROM在写入数据时能够自动完成擦除。 在单片机系统中，EEPROM既可以扩展为EPROM，也可以用作RAM，特别是在程序调试时比较方便。用作RAM时，由于掉电后数据不丢失，经常用于存储系统运行过程中需要保存的一些人工修改的参数。 保留信息长达20年，不存在EPROM在日光下信息缓慢丢失的问题。 在芯片的引脚设计上，2KB的E2PROM 2816与相同容量的EPROM 2716和静态RAM 6116兼容，8KB的E2PROM 2864A与同容量的EPROM 2764和静态RAM 6264也是兼容的。2816、2817和2864A的读出数据时间均为250ns，写入时间10ms。 8.8 FLASH存储器的扩展 FLASH存储器也称闪速存储器，是一种可擦除、可改写的只读程序存储器。 1987年，一种利用单个晶体管的EPROM单元，加上高速灵敏放大器等技术的新型只读存储器问世了——该存储器的容量有256KB。擦除和编程写入的速度也比一般的E2PROM快了10倍。因而称为FLASH存储器，可翻译成闪速存储器，简称闪存。 闪速存储器和EPROM，E2PROM的性能比较 类别 EPROM E2PROM 闪速存储器 擦除时间 20min 1ms 100μs 编程时间 1ms 1ms 100μs 单元面积/μs2 64 270 64 芯片面积/mm2 32.9 98 32.9 擦除方法 紫外线 电擦除 电擦除 FLASH存储器的分类 标准的并行接口：这种芯片具有独立的地址线和数据线，在和CPU接口时，基本上和一般的存储器接口相似，只要三类总线分别连接就可以。 NAND(与非)型闪存： NAND型闪存也是一种并行接口芯片，但是在接口是采用了数据、地址和命令线分时复用的方法。 串行接口的FLASH存储器： 这种产品只通过一个串行数据输入、一个串行数据输出和CPU接口，因此CPU的连接非常简单。 典型FLASH存储器芯片简介 典型FLASH存储器产品由AMD公司生产的16t闪速存储器Am29f016B； 美国National Semiconductor公司的产品NM29A040/080(分别是4Mbit和8Mbit的串行FLASH存储器)，Atmel公司的闪速存储器系列，AT29C×××系列：5V电源； AT29L×××系列：低电源系列：3.3V电源； AT29B×××系列：低电池供电系列：3V电源。 AT29LV040A芯片 AT29LV040A是Atmel公司的容量为512KB的FLASH。低电压3.3V电源供电，访问速度为200ns，低功耗，工作