第三单元硅片制备.ppt

* * 直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多晶硅块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状籽晶浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着籽晶的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把籽晶微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即单晶硅锭。当结晶加快时，晶体直径会变粗，提高升速可以使直径变细，增加温度能抑制结晶速度。反之，若结晶变慢，直径变细，则通过降低拉速和降温去控制。拉晶开始，先引出一定长度，直径为3～5mm的细颈，以消除结晶位错，这个过程叫做引晶。然后放大单晶体直径至工艺要求，进入等径阶段，直至大部分硅融液都结晶成单晶锭，只剩下少量剩料。 * * Most ingots produced today are 150mm (6) and 200mm (8) diameter, but Komatsu Silicon America, MEMC, Mitsubishi Silicon America, Shin-Etsu Handotai America, and Wacker Siltronics are developing 300mm (12) and 400mm (16) diameter ingots. * 在区熔炉炉室内，将硅棒用上下夹头保持垂直，有固定晶向的籽晶在下面，在真空或氩气条件下，用高频线圈加热（2～3兆赫），使硅棒局部熔化，依靠硅的表面张力及高频线圈的磁力，可以保持一个稳定的悬浮熔区，熔区缓慢上升，达到制成单晶或提纯的目的。线圈结构对保证操作顺利起非常重要的作用。现代大型区熔炉能拉制直径大于 100毫米的硅单晶。 * * * * * * * * Dai Xianying 微电子工艺基础第三单元 微电子制造工艺 微电子学院 戴显英 2013年3月4日 1、单晶硅片的制备 * 硅的重要性 储量丰富，便宜；（27.6％） SiO2性质很稳定、良好介质，易于热氧化生长； 较大的禁带宽度（1.12eV），较宽工作温度范围； 95%以上是Si集成电路。 1、单晶硅片的制备 * ? 石英砂（SiO2)→冶金级硅 (MGS) ? HCl与MGS粉反应形成TCS（trichlorosilane：氯硅烷） ? 利用汽化和冷凝提纯TCS ? TCS与H2反应形成多晶硅 (EGS) ? 熔融EGS和拉单晶硅锭 1.1 电子级多晶硅的制备 从石英砂到硅锭-点石成金 * SiO2 石英砂 C 碳 ＋ 加热到2000℃ Si 冶金级硅 ＋ CO2 二氧化碳 纯度:98% Si单晶的起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） 1.1 电子级多晶硅的制备 * 硅提纯 I HCl Si 硅粉 过 滤 器 冷凝器 纯化器 反应室，300℃ SiHCl3 纯度:99.9999999%(9N) Si (固) + 3HCl(气) －－→ SiHCl3(气)+H2(气) (220~300℃) SiHCl3：沸点31.5℃ Fe、Al和B被去除。 1.1 电子级多晶硅的制备 * 多晶硅提纯 II H2 液态SiHCl3 TGS H2+SiHCl3 H2+SiHCl3→Si+3HCl 电子级硅 多晶硅 EGS（9N） 工艺腔 1.1 电子级多晶硅的制备 * 1.2.1 直拉法（Czochralski，CZ法） 石英坩锅 石墨坩锅 单晶硅锭 单晶硅籽晶 加热线圈 硅－熔点为1414 ℃,沸点为2355 ℃ 1.2 单晶硅的制备 * CZ法系统的主要设备 1.2 单晶硅的制备 1: 石英坩埚, 2: 石墨坩埚, 3 : 加热器, 4 :电源系统 5：旋转与升降装置， 6：真空系统。 * 柴可拉斯基拉晶仪 * 拉晶过程 ①?熔硅 调节坩埚位置 ②引晶（下种） ③收颈 目的： 抑制位错从籽晶向晶体延伸 ④放肩 ⑤收肩 ⑥等径生长 ⑦ 收尾 1.2 单晶硅的制备 * 拉晶过程 例，2.5及3英吋硅单晶制备 ①??熔硅 调节坩埚位置；（注意事项：熔硅时间不易长） ②??引晶（下种） 籽晶预热：目的---避免对热场的扰动太大； 位置---熔硅上方； 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---籽晶不熔或不生长； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接触， 既不会进一步融化，也不会生长；