[工学]电子科技大学 半导体物理课件第六章.pdfVIP

第六章金属和半导体的接触 Metal-Semiconductor Contact §6.1 金属-半导体接触和能带图 §6.1 金属-半导体接触和能带图 §6.2 -半接触整流理论 §6.2 -半接触整流理论 §6.3 少数载流子的注入和欧姆接触 § 1、金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触，阻挡层与 反阻挡层的形成； § 2 肖特基接触的电流 电压特性 扩散理论和热电子发 射理论，即肖特基势垒的定量特性 § 3、欧姆接触的特性。 两个要点： ①功函数和禁带宽度的不同金属/半导体接触能带图的变化； ②肖特基接触的整流特性即电流－电压I-V特性。 §6.1 金属-半导体接触和能带图 一、金属和半导体的功函数Wm Ws 1、 属的功函数Wm 电子由金属内部逸出到表面外的真空中所需 要的最小能量。 E 即：W E (E ) 0 m 0 F m W m E 为真空中电子的能 0 (E ) 量，又称为真空能级。 F m 金属铯Cs的功函数最低1.93eV，Pt最高为5.36eV 2、半导体的功函数Ws E 0 E 与费米能级之差称为半导 χ Ws Ec 0 E 体的功函数。 n (E ) F s 即：W E (E ) Ev s 0 F s 用Χ表示从E 到E 的能量间隔： c 0 c E0 Ec 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带 底的电子逸出体外所需要的最小能量。 Note: 半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以， W 也和杂质浓度有关。 s ①N型半导体： W c E E c E s c