[工学]第15章 二极管及三极管.pptVIP

电子技术的发展 1.元件 2.制式 1906年 真空三极管(德福雷斯、弗莱明) 1948年 晶体三极管 1960年 集成电路 内容及要求 掌握元件的工作原理，并能正确地选择和使用； 掌握基本单元电路的工作原理及各元件的作用；了解局部电路的计算，元件参数的选择及电路的调试方法； 掌握集成运放和数字集成电路的工作原理、逻辑功能，调试方法。 主要内容包括： 本课程的学习方法 绪论 数字信号 周期性方波信号 放大电路的基本知识 放大电路模型 放大电路模型 放大电路模型 放大电路模型 放大电路模型 导体、半导体和绝缘体 依单质物质导电能力的大小将它们分为： 导 体：电阻率在10-6~10-3Ω/cm之间的物质； 绝缘体：电阻率在108~1020Ω/cm之间的物质； 半导体：导电能力介于两者之间的物质， 即电阻率在10-3~108Ω/cm之间的物质。 常见的半导体有锗Ge、硅Si及大多数金属氧化物和硫化物。 15.1.2 N型半导体和P型半导体 杂质半导体的示意表示法 15.2 PN 结 15.2.1 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 15.3 半导体二极管 15.3.1 基本结构 15.3 半导体二极管 15.3.1 伏安特性 15.3.2 主要参数 3. 折线模型（实际模型） 15.3.3二极管电路分析举例 例5：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 15.4 稳压二极管 3. 主要参数 15.5 半导体三极管 15.5 基本结构 15.5.2 电流放大原理 某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图所示。已量出I1= -1.2mA，I2= -0.03mA，I3=1.23mA。由此可知，此三极管的类型为 (NPN或PNP)；电极1为 极，电极2为 极，电极3为 极。 温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将 ，输出特性曲线 ，输出特性曲线之间的间隔将 。 (上移、下移、左移、右移、增大、减小、不变) 温度升高时，晶体管的电流放大倍数β将 ，反向饱和电流ICBO将 ，正向结电压UBE将 。(增加、减小、不变) IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.001 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 0.001 0.51 1.02 1.53 2.04 2.55 结论 1）三个电极的电流关系 IE = IB + IC 2） IC ? IE ， IC ?? IB 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 　进入基区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 IBE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电区而被收集，形成ICE。 ICE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IC IB IC=ICE+ICBO?ICE 后一页 前一页 IB=IBE-ICBO?IBE 返回 ICE 与IBE 之比称为共发射极直流电流放大倍数 集－射极穿透电流 温度? ? ICEO? 常用公式 后一页 前一页 返回 15.5.3 特性曲线 指管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 后一页 前一页 返回 实验线路 输入回路 输出回路 　发射极是输入、输出回路的公共端 EB IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC V 共发射极电路 ? 后一页 前一页 返回 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点: 1.非线性 死区电压： 硅管0.5V