无机非金属材料工学课件--第五章-熔化与相变.ppt

无机非金属材料工学课件--第五章-熔化与相变.ppt

  1. 1、本文档共24页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
无机非金属材料工学课件--第五章-熔化与相变.ppt

第五章 熔化与相变 第一节?? 熔化 第二节 玻璃的熔化 第三节 熔体和玻璃体的相变 (晶化与分相) 第一节?? 熔化 一、概述 熔化(熔炼):是将配合料投入耐火材料砌筑的熔窑中,经高温加热,得到无固体颗粒、符合成形要求的各种单相连续体的过程。 无机非金属材料的熔化是一个非常复杂的过程。 其共同点:配合料(粉末或块状)在窑炉中通过热的传递、质的传递和动量传递,完成一系列的物理的、化 学的和物理化学的过程 二、熔化设备—熔窑 (一)池窑(二)坩埚窑 (三)电熔窑 (四)冲天炉 四、熔窑耐火材料及其与熔体的相互作用 (一)概述 玻璃窑炉的耐火材料的化学组成可分为: Al2O3-ZrO2-SiO2、Al2O3-SiO2、ZrO2-SiO2、MgO-Cr2O3、 Al2O3、ZrO2、MgO 及SiO2等8类。 和玻璃液接触的耐火材料仅限于Al2O3质和AZS两种。 (二)耐火材料的侵蚀 溶解度是玻璃熔体对耐火材料侵蚀过程的决定性因素。 设某种耐火材料的溶解度为CS,被溶解的物质将通过扩散 及对流在作为溶剂的溶体中传播开,称为对流扩散。侵蚀速 度为Q,可以由诺依斯-湟恩斯特式得出近似解: 侵蚀方式: 1、 水平方向侵蚀(冲刷线侵蚀)如图1-5-12 第二节 玻璃的熔化 玻璃熔制过程各阶段间关系 如图1-5-17所示 二 、配合料在平板玻璃窑内的反应过程 (二)玻璃的形成 硅酸盐和二氧化硅随温度升高而熔融,不透明的烧结物变为透明的玻璃液. 平板玻璃形成大约在1200-1400℃完成。 玻璃熔制过程中玻璃形成速度与熔制温度、玻璃成分和 砂粒大小有关。过程需要28~29分钟 (三)澄清 玻璃的澄清:使玻璃液继续加热,降低熔体粘度,排除可见气 泡的过程。 熔制平板玻璃时澄清过程在1400-1500℃完成。 此时玻璃液粘度约为10Pa?s 气体复杂交换时的平衡状态可用图1-5-24表示。 气泡体积增大上升,漂浮于玻璃液表面后破裂消失; 小气泡中的气体组分溶解于玻璃液,小气泡被吸收而消失。 前一种情况主要在熔化部进行。气泡的大小和玻璃液的粘度是气 泡能否漂浮的决定因素。 按照Stakes定律,气泡的上升速度与气泡半径的平方成正比,而与玻璃液粘度成反比。 式中:ν—气泡的上浮速度,cm/s; r—气泡的半径,cm; g—重力加速度, cm /s2; ρ—玻璃液的密度,g/cm3; ρˊ—气泡中气体的密度,g/cm3; η—熔融玻璃液的粘度,Pa·s。 由上式可见,大直径的气泡比小直径的气泡从玻璃液中 逸出的速度要快得多。 玻璃液中气泡的消除与表面张力所引起的气泡内压力 的变化有关,玻璃液中溶解的气体与气泡内气体的压力达到 平衡时,气泡的总压力等于大气压力、气泡上玻璃液柱的压 力、再加上气体与玻璃液界面的表面张力所形成的附加压力 的总和。表示形式为: 2、 澄清剂作用机理及应用 为加速玻璃的澄清过程,常在配合料中加入少量澄清剂。 类型: (1)变价氧化物类澄清剂 As2O3、Sb2O3、CeO2、Mn2O3等 (2)硫酸盐类澄清剂 (3)卤化物类澄清剂 (五)玻璃液的冷却 玻璃液冷却过程中,温度降低和炉气改变,可能破坏 澄清时建立的平衡。在已澄清的玻璃液中,有时会出现小 气泡,称为二次气泡。 二次气泡产生的原因,可能由于: 硫酸盐或碳酸盐的热分解; 玻璃液流股间的化学反应; 耐火材料中小气泡的成核作用引起二次气泡; 溶解气体析出。 在冷却过程中,必须防止温度回升,以避免二次气泡产 生。 第三节 熔体和玻璃体的相变(晶化与分相) (一)核化过程 发生于均匀基质内部,而与相界、结构缺陷等无关的成核过 程。 核的形成及其存在决定于过程中物质自由能的变化△G。假 设晶核(或晶胚)为球形,其半径为r,则: 核自由能与半径的关系如图1-5-26。 将上式微分,并使 2 、异相核化 指依靠晶界、相界,或基质的结构缺陷等不均匀部位 而成核的过程,异相核化比均相核化广泛的多,由于存在这类 界面降低了界面能△Gs,使晶核形成速率加快,从而降低了整 个过程的自由能△G。 (二)晶体生长 稳定的晶核在基质中形成以后,在适当过冷度和过饱和度 条件下,基质中原子或原子团向界面迁移,到达适当的生 长位置使晶体长大。晶体生长速度取决于物质扩散

文档评论(0)

yingzhiguo + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:5243141323000000

1亿VIP精品文档

相关文档