TDL-FZ35型区熔单晶炉.docVIP

目 录 1. TDL-FZ35型区熔单晶炉 2 2. TDL(R)-J40型光学晶体炉 2 3. TDR(L)-J60型光学晶体生长设备 3 4. TDR-62CP型单晶炉 4 5. TDR-GY652型高压单晶炉 5 6. TDR-70A（B）型单晶炉 6 7. TDR-80A（B）型单晶炉 7 8. 大直径碳化硅晶体生长工艺及设备 8 TDL-FZ35型区熔单晶炉 内容简介： TDL-FZ35型区熔单晶炉，是在高纯氮气环境中，用单匝高频感圈加热，对多晶体棒进行区域熔炼，达到提供并用FZ法拉制高纯无位错大直径(3″～4″)单晶硅的设备。获省级科技进步三等奖。 该设备的主要性能指标如下： 晶体直径：3″～4″(Φ75～Φ100mm) 晶体长度：1000mm 高频发生器功率：60KW 晶轴拉速范围：0.5～20mm／min 使用范围及市场预测： 区熔硅单晶系用于电力电子器件，及大功率高电压的集成元件关键半导体材料。尤其大直径区熔单晶为当前需求量大。现绝大部分采用进口材料，故年需求10台(年产27／台)是可行的。 投产条件及效益分析： 该设备系机电一体化要求较高的综合设备除具有较强的机加工能力外，对高频，自动控制也有较高的要求。 现总售价72.50万元／台，批量生产(每批3～8台)利润可在15％左右。有较好的经济效益和社会效益。 服务方式：生产定型产品，外售。 转让费：面议。 TDL(R)-J40型光学晶体炉 内容简介： 该炉是用直拉法控制激光固体材料(如钇铝石榴石，铝酸钇等)单晶体的专用设备。它可以在大气或充入各种纯净保护气体下工作。 曾获机械工业部和陕西省科技进步二等奖。 该设备的主要性能指标如下： 炉室尺寸：Φ400mm 采用中频加热电源：20KW 2500HZ 采用电阻加热电源：42KVA 最高加热温度：2100℃ 最大投料量：3kg 籽晶在炉内行程：300mm 使用范围及市场预测： 该设备系生产各种光学晶体，如YAG YAP、各种宝石、化合物、气化物晶体材料用，由于材料种类多，系高科技领域新材料中的关键设备，市场前景良好，年需求10～20台套。 投产条件及效益分析： 该设备系机电一体化，要求较高的技术，对真空气密、高温、自动控制、计算机等多学科领域都有较高的要求。 现售价15～24万元／台，有较好的经济效益和社会效益。 服务方式：生产定型产品，外售。 TDR(L)-J60型光学晶体生长设备 主要内容： TDR(L)—J60型光学晶体生长设备是在高真空、保护气体条件下以石墨电阻或以中频感应加热方法将原材料熔化，用直拉法生长红宝石、蓝宝石、YAG、化学计量比铌酸锂等光学晶体的设备。 技术水平： TDR(L)—J60型光学晶体生长设备具有稳定可靠的低速运动性能、程序控制工作速度的变化功能、上称重计算机自动控制直径功能或下称重计算机自动控制直径功能，综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。 主要技术参数: 1．熔料量： 10kg 2．晶体直径： 3 3．加热功率 30kW 4．最高加热温度 2100℃ 5．主炉室尺寸 φ600×900mm 6．冷炉极限真空度 3Pa 7．充气压力 0.08MPa 市场前景: 目前，国内市场上已有20多台TDR(L)-J60型光学晶体生长设备，在光学晶体材料领域发挥着重要作用。 随着光显示（LED,TFT,PDP）、光存储（磁盘和光盘）、超高亮半导体照明技术的飞速发展，对高质量的光学晶体材料的需求越来越迫切，需求量越来越大，并向大直径方向发展，目前，市场对2～3的高质量光学晶体有较大的需求量。预计近几年市场对该类光学晶体生长设备的需求量回大增。 服务方式：出售产品、其它形式的合作面议 TDR-62CP型单晶炉 内容简介： TDR-62CP型单晶炉，是在惰性气体环境中，以石墨电阻加热器将硅材料熔化，用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚，投料20kg，拉制4″或5″的单晶，其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚，投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。 该设备的主要性能指标如下： 投 料 量：30kg 晶体规格：5″ 籽晶炉内行程：2200mm 最大功率：130kw 使用范围及市场预测： 该设备系发展大规模集成电路，生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片，若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。 投产条件及效益分析： 该设备系集机械、