基于多孔阳极氧化铝模板和紫外纳米压印的减反射膜制备技术(可编辑).docVIP

基于多孔阳极氧化铝模板和紫外纳米压印的减反射膜制备技术 图片目录 图1 国际半导体技术发展蓝图ITRS2003,2006??15 图2 热压印工艺.16 图3 直径为10纳米的钛/金点阵.16 图4 步进式热压印工艺.17 图5 微接触压印工艺过程示意?18 图6 微接触压印的扩散效应??18 图7 微接触的应用18 图8 滚动式纳米压印示意图??19 图9 滚动式纳米压印工艺过程?20 图 10 a滚动式压印系统 b 100mm×100mm图形复制20 图 11 HSQ的两种不同材料21 图12 使用HSQ的室温纳米压印工艺?21 图13 紫外纳米压印工艺过程22 图14 单步紫外纳米压印工艺过程22 图15 步进-闪刻压印单步工艺过程23 图16 步进-闪刻压印工艺23 图17 微镜压印工艺流程25 图18 在PMMA上压印的微镜??25 图 19 MOSFET压印流程?26 图 20 MOSFET的压印结果26 图21 激光辅助压印光栅26 图22 双层转移压印光栅26 图23 交叉悬臂微结构的制备过程??27 图24 交叉悬臂结构和功能??27 2 图25 存储密度为7.5Gbits/in28 2 图26 存储密度400Gbits/in?28 图27 关于纳米压印技术研究的发表论文情况28 图28 阳极氧化铝结构模型??31 图29 阳极氧化铝模板?31 图30 二次阳极氧化法?32 图31 阳极氧化法装置示意??32 图 32 SWS减反射膜的制备37 图33 旋涂法制备SWS减反射膜389 图34 全息光刻法制备SWS减反射膜的SEM图像??39 图35 模板法制备SWS减反射膜39 图36 主要实验过程??42 图37 紫外光照射下,不同的光刻胶成分曝光固化效率不同44 图38 固化后光刻胶膜的透光性测试?45 图39 光滑缓冲层模板法48 图40.模板表面处理的效果比较48 图41 离子轰击光刻胶表层??49 图42 含氟模板结构示意图??50 图43 含氟模板的脱模方法??50 图44 全氟辛基三氯硅烷的自组装反应原理?51 图45 全氟辛基三氯硅烷在基地表面的反应?51 图46 模板的自清洁功能52 图47 模板的紫外光透过率??52 图48 紫外-可见分光光度计..52 图49 实验设备?53 图50 紫外纳米压印过程54 图51 紫外曝光机54 图52 模板的表征55 图53 不同角度的样本?55 图54 扫描电子显微镜和原子力显微镜56 图55 纳米阵列的AFM图形??56 图56 亚波长结构减反射膜的反射率测量??57 图57 模板的贯通性.58 图58 模板的变形58 图59 用模板的正反面压印结果59 10 表格目录 表1 几种纳米压印技术的比较.24 表2 纳米压印专用光刻胶的主要供应商29 表 3 Watershed XC 11122的特性45 表 4 PAK-01性能指标?.46 表 5 NIF-A-1基本性质?46 表 6 mr-UVCur06的技术参数?.47 表7 几种光刻胶的比较.47 表8 全氟辛基-三氯硅烷的参数51 表9 硅基底的参数53 11 上海交通大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立 进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不 包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究 做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意 识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名:任万春 日期:2008年 2月 22日2 上海交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同 意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许 论文被查阅和借阅。本人授权上海交通大学可以将本学位论文的全部或 部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制 手段保存和汇编本学位论文。 保密□,在年解密后适用本授权书。 本学位论文属于 不保密√。 (请在以上方框内打“√”) 学位论文作者签名:任万春 指导教师签名:黄其煜 日期:2008年2月22日日期:2008年2月22日3 基于多孔氧化铝模板的紫外纳米压印减反射膜制备技术 摘要紫外纳米压印技术具有低成本、高分辨率、高产能等优点。压印的 最小分辨率完全取决于模板的分辨率。压印模板一般采用电子束直写或 者极紫外光刻等高分辨率的技术制备。可是这些技术成本高、速度慢。 多孔阳极氧化铝模板具有高度均匀的纳米级孔洞