[经济学]第1章 半导体器件.pptVIP

宁波工程学院：余辉晴 《模拟电子技术》课件 Tel：0574Email：yhq@nbut.cn 第1章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管 1. 本征半导体的结构 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体及杂质半导体 硅和锗是四价元素，它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。 2. 电子空穴对 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体及杂质半导体 本征半导体因热激发而出现自由电子和空穴，它们是成对出现的。 两种载流子动画演示 3．杂质半导体 ⑴ N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质，则形成N型半导体，电子为多数载流子，空穴为少数载流子，主要依靠电子导电。 1.1 半导体基础知识 3．杂质半导体 ⑵ P型半导体 1.1 半导体基础知识 在本征半导体中掺入三价杂质，则形成P型半导体，空穴为多数载流子，电子为少数载流子，主要依靠空穴导电。 1.1.2 PN结 1．PN结的形成 动画演示 当N型半导体和P型半导体结合在一起时，由于交界处两侧载流子存在浓度差，引起扩散，结果在交界面的两侧形成了空间电荷区，空间电荷区产生一个内电场，其方向由N区指向P区，内电场不利于扩散，但有利于漂移，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡，就形成了一个稳定的PN结。 1.1 半导体基础知识 2．PN结的单向导电特性 动画演示 1.1 半导体基础知识 PN结的单向导电性是指结在正向电压作用下导通，在反向电压作用下截止。 ⑴ PN结加正向电压 ⑵ PN结加反向电压 1.2.1 二极管的结构 ⑵ 面接触型二极管 1.2 半导体二极管 面接触型二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，适用于整流电路；但结电容也大，不宜用于高频电路。 ⑴ 点接触型二极管 点接触型二极管的结面积很小，所以不能通过较大的电流；但结电容很小，所以适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件。 1.2.2 二极管的伏安特性 1．正向特性 1.2 半导体二极管 当正向电压较小时，外电场不足以克服内电场的作用，正向电流几乎为零，二极管截止；当正向电压超过某一数值时，才有明显的正向电流，这时二极管导通。 1.2.1 二极管的电路符号 P N 阳极 阴极 1.2.2 二极管的伏安特性 2．反向特性 当反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流称反向饱和电流；当反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加，这时二极管反向击穿。 1.2 半导体二极管 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2 半导体二极管 3．温度对二极管伏安特性曲线的影响 4．晶体二极管电路的分析 ⑴ 二极管电阻 1.2 半导体二极管 直流电阻 交流电阻 4．晶体二极管电路的分析 ⑵ 二极管的等效电路 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 〖例1-1〗 二极管电路如图所示，已知 ，输入为正弦波 ，二极管的正向压降和反向电流均可忽略。试画出输出电压的波形。 解： 1.2.3 二极管的参数 最大整流电流 ： 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 1.2 半导体二极管 最高反向工作电压 ： 二极管工作时允许外加的最大反向电压。 反向电流 ： 二极管未击穿时的反向电流。 最高工作频率 ： 二极管工作时的上限频率。 1.3.1 三极管的结构 1.3 半导体三极管 三极管具有电流放大作用的内部条件是： ⑴ 基区做得很薄，而且掺杂浓度低。 ⑵ 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 ⑶ 集电区比发射区体积大，且掺杂浓度低。 1.3 半导体三极管 1.3.1 三极管的结构 1.3.2 三极管的工作原理 1.3 半导体三极管 三极管具有电流放大作用的外部条件是： 1、发射结加正向电压； 2、集电结加反向电压。 1.3 半导体三极管 1.3.2 三极管的工作原理 以NPN型为例： 动画演示 1.3 半导体三极管 1.3.2 三极管的工作原理 电流分配关系图： ICN IBN IEN IEP 发射区 基区 集电区 1．电流分配关系 2．共射极直流电流放大系数 3．共基极直流电流放大系数 1.3 半导体三极管 1.3.2 三极管的工作原理 或 4. 1.3.3 三极管的特性曲线 1．输入特性曲线 1.3 半导体三极