[计算机硬件及网络]微机原理与接口技术第05章XP.pptVIP

第5章：半导体存储器 教学重点 存储器的分类 RAM存储器及其接口（重中之重） 了解只读存储器ROM 半导体存储器概述 存储器是计算机中信息存放的载体，是计算机中的重要组成部分。 我们总是希望存储器容量越大越好，速度越快越好。然而大容量、高速度必然带来高成本。因此，必须找到一个适当的平衡点； 现代的计算机系统中都是采用多级存储体系结构来做为容量、速度和成本间的折衷。如下图所示。 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 5.1 半导体存储器的分类 5.1 半导体存储器的分类 1. RAM按制造工艺可分为 双极型：速度快、集成度低、功耗大，一般用在高档微机中或用做Cache MOS型：速度慢、集成度高、功耗低。微机的主存储器一般为它。根据是否有刷新电路又可分为： 静态RAM：以六管构成的触发器作为基本存储电路，存储的信息相对稳定，无需刷新电路；速度比DRAM快但集成度不如DRAM，功耗也较DRM为大。 动态RAM：以单管线路构成其基本的存储电路，因此集成度高，成本也相对便宜。但其中的信息易消失，故需要专门的硬件刷新电路。 读写存储器RAM小结 2. 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块的方式（Block）擦除 5. 2 RAM的结构 5. 2 RAM的结构示意图 典型的RAM连接示意图 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码方式 对存储体的译码有两种方式： 单译码结构：字线选择所有单元； 双译码结构：通过行列地址线来选择存储单元 双译码可以减少选择线的数目，从而简化芯片设计 是主要采用的译码结构 地址译码方式示意图（续） 在上图中，存储单元的大小可以是一位，也可以是多位。如果是多位，则在具体应用时应将多位并起来。 ③ 一个实际的例子-Intel 2114 Intel 2114是一个1K×4位的SRAM。其外部引脚图如下图所示。 SRAM　2114与CPU的连接 存储容量为1024×4，即其有1024个单元，每个单元4位；因此，选中这1024个单元需要10根地址线A0~A9。 练习： 已知下列SRAM芯片，请说出该芯片的必要的信号引脚： . Intel4118，容量：1K x 8。 . Intel6264，容量：8K x 8 6.2.3 RAM与CPU的连接 在将RAM与CPU连接时，主要连接以下三个部分的信号线： 数据线 地址线 读写控制线 6.2.3 RAM与CPU的连接（续1） 存储芯片与CPU总线的连接，还要考虑以下方面的问题： CPU的总线负载能力 CPU的总线驱动能力有限，因此应考虑CPU能否带动总线上包括存储器在内的连接器件。必要时就要加上缓冲器。 存储芯片与CPU总线时序的配合 CPU能否与存储器的存取速度相配合。如果不能满足，可以考虑更换芯片，或在总线周期中插入等待状态TW 存储器的地址分配和选片 1. 存储芯片容量的扩充 当进行存储器组织时，所给芯片的容量往往与需要不同，如数据的位数不够，或总的容量不足，此时就必须进行容量扩充。 若芯片的数据线不足8根： 一次不能从一个芯片中访问到8位数据，此时应利用多个芯片扩充数据位； 这个扩充方式简称“位扩充” 而如果总的容量不足 则需利用多个存储芯片扩充容量，用存储芯片的片选端对多个存储芯片（组）进行寻址； 这种扩充简称为“地址扩充”或“字扩充” 2. 1KB RAM的连接 RAM芯片有1位、4位、8位等不同的结构。在构成1KB RAM时，可以选择不同的芯片，因此就有不同的连接。 采用1K×1位的RAM 2. 1KB RAM的连接 采用256×4位的RAM 两种连接方式的比较： 这两种连接方式虽然都可以构成1KB RAM，但两者有以下区别： 从连接的负载来看： 前一种连接每条地址线有8个负载（8片RAM），而每根数据线只连接一个负载； 后一种连接A0~A7每根地址线也是连接8个负载，而每根数据线连接4个负载； 因此，从负载的角度来说，前一种比后一种好。 从芯片的封装来看： 一般而言，芯片封装的引脚越多，则合格率越低； 前一种每个芯片的地址数据线有11根，而后一个有12根； 因此，从芯片的封装角度来说，也是前一种比