激光二级管抽运的被动调Q微晶片激光器仿真.docVIP

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激光二级管抽运的被动调Q微晶片激光器仿真

激光二级管抽运的被动调Q微晶片激光器仿真 公式的推导: 由于被动调Q脉冲通常只有纳秒量级,在脉冲期间可以不考虑抽运源的影响,得到考虑可饱和吸收体激发态吸收的被动调Q一般性耦合方程: (1) (2) (3) (4) (5) 是激光腔中光子数密度;n是增益介质反转粒子数密度;是可饱和吸收体基态粒子数密度;是可饱和吸收体激发态粒子数密度;是可饱和吸收体总粒子数密度;和l分别是增益介质的受激发射截面和长度;和分别是可饱和吸收体基态和激发态的吸收截面;是可饱和吸收体沿光腔轴线的长度;R是输出镜的反射率;是激光器腔体的耗散性损耗;c是光速;=为光在腔中往返一周的时间(其中为光学谐振腔的等效光程长度);是反转因子,对于四能级系统为1,三能级系统为2; 为了研究连续脉冲的情况,需要考虑抽运速率、增益介质的上能级寿命、可饱和吸收体的恢复时间等因素,得到下面考虑了可饱和吸收体激发态吸收的连续抽运被动调Q速率方程组: (6) (7) (8) 是抽运速率;是增益介质的总粒子数密度;是增益介质的上能级寿命;是可饱和吸收体的恢复时间;为了接近实际所添加的因子。 方程的求解及相关结论: 对于描述连续抽运下的调Q脉冲序列建立过程的耦合方程组,进行数值仿真,从而可以得到不同参量下被动调Q脉冲输出的精确结果。 在matlab中编程求解该微晶片激光器对应的速率方程组,并作出光子数密度、反转粒子数密度以及基态粒子数密度随时间的变化的曲线。 将被动调Q过程中光子数密度和增益介质反转粒子数密度随时间变化在同一张图中作出,如下图: 可以看出在被动调Q过程中,每产生一个光脉冲,增益介质的反转粒子数密度就会急剧减少。 (三)动画实现: plot(x,y); hold on comet(x,y,0.01) 利用二维彗星轨线,让一个小球沿着曲线运动,可以观察冲连续脉冲到间断脉冲的转换。 (四)附录:相关程序和参数设定见M文件 参考文献: [1]张志勇,杨祖樱 等,Matlab教程,北京,北京航空航天大学出版社,2009 [2]陈家壁、彭润玲,激光原理及运用,电子工业出版社(第2版) [3]欧攀,高等光学仿真(matlab版)--光波导,激光,北京航空航天大学出版社 附录: 程序: %被动调Q速率方程数值求解 clc % Clear command window clear %Clear variables and functions from memory close all T0 = 0.7; %可饱和吸收体初始透射率 R = 0.8; %输出镜反射率 Rp = 2e28; %抽运速率 y0 = [1;0;0]; %设定初值 tspan=[0 0.05]; %设定计算时间范围 tic [t,y] = ode23(rate_eq,tspan,y0,[],Rp,T0,R); %解耦合速率方程组rate_eq(ode23常微分方程的数值求解

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