20 第五章 理想JFET的I－V特性.ppt

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices JFET特性分析 §5.2 1、JFET的静态特性 2、小信号参数与等效电路 3、JFET的截止频率 4、沟道夹断后的JFET性能 Outline 一 JFET的静态特性 低电压时，漏极电流与电压成正比。 原点附近，曲线斜率是栅压的函数。 夹断曲线 JFET的I-V特性 ＋ 多项式展开 线性区的电流-电压方程： 1、线性区 上式反映了：1、漏极电流对漏极电压的线性依赖关系； 2、栅压对I-V曲线斜率的影响。 G0为没有任何耗尽层时的沟道电导 2、饱和区 在夹断点，漏极和栅极上的偏置电压的大小满足条件： ＋ 漏极电流和栅压的函数关系，反映了栅压对漏极电流的控制作用，称为JFET的转移特性。 JFET的转移特性曲线 IDSS栅极电压为零时的漏极饱和电流 即使y方向为任意非均匀的杂质分布，所有JFET的转移特性都落在两条曲线之间。在放大应用当中，JFET通常工作在饱和区，并且在已知栅电压信号时，可利用转移特性求得输出的漏极电流。 实验发现： 二 小信号参数与等效电路 1、线性区漏极导纳 漏极导纳与外加栅电压的关系。这种特性使得JFET适用于作电压控制的可变电阻 2、线性区跨导 3、饱和区跨导 线性输出导纳等于饱和跨导。 跨导的理论曲线和实验曲线的比较 跨导较小时，两者吻合较好；跨导较大时，误差较大，此时需考虑靠近源端和漏端的串联电阻的影响，必须对跨导理论公式进行修正。 较小 具有漏电阻和源电阻的JFET 4、交流小信号分析 交流漏电压和交流栅电压叠加到相应的直流电压上，且假设JFET能跟得上交流电压的变化： 或： 第一项展开成泰勒级数，保留直流电压和交流电压的线性项，可得： 分别表示沟道导纳和跨导 考虑源漏串联电阻的影响，其端电压-电流方程表示为： 因此： 对于小信号参数，上式改写为： 可得： 移项得到： ＋ 因此，具有串联电阻的导纳分别表示为： 可见：由于串联电阻的存在，跨导和导纳都变小 对于实际的JFET还需考虑栅极漏电流的影响。由于较大表面漏电流的存在，可以严重降低JFET的输入阻抗。 除串联电阻作用外，在栅和沟道之间的PN结在反偏压下具有结电容，栅极总电容可以表示为： 平均耗尽层宽度。因子2考虑了两个PN结的作用。 结面积 在VG=0，且处于夹断条件时，平均耗尽层宽度为a/2，则夹断时的栅电容为： 为简化设计，往往用两个集总电容，即栅-漏电容Cgd和栅-源Cgs电容来表示，而不管栅电容的实际分布性质如何。此外，器件封装要在漏和源两端引起一个小电容Cds。电阻rgd、rgs表示栅极漏泄电流，通常较大，对于大多数实用的目的可以忽略不计。电阻rds为有限的漏极电阻，是由沟道长度的调制引起的，典型值在100~200kΩ。 参数说明： 小信号等效电路 简化的等效电路 简化 三 JFET的截止频率 截止频率定义为不能再放大输入信号时的最高频率。当通过输入电容的电流与输出的漏极电流相等时，达到增益为1(不再放大)的条件。 输入 输出 简化的小信号等效电路