第4章 电路与电子技术讲稿071026.ppt

第四章 半导体器件 半导体基本知识 半导体二极管 半导体三极管 场效应管 半导体基本知识 本征半导体 杂质半导体 PN结及其单向导电性 本征半导体 半导体 本征半导体 本征半导体的导电性能 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为 4。 半导体材料的特性 纯净半导体的导电能力很差； 掺杂性——掺入少量杂质导电能力增强。 热敏性——温度升高导电能力增强； 光敏性——光照增强导电能力增强,还可以 产生电动势； 本征半导体 经过高度提纯的单一晶格结构的硅或锗原子构成的晶体，或者说，完全纯净、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 本征半导体的导电性能 价电子与共价键 自由电子与空穴 电子电流与空穴电流 价电子与共价键 在本征半导体的晶体结构中，每一个原子与相邻的四个原子结合。每一原子的—个价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的，它们把相邻的原子结合在一起，构成所谓共价键的结构。 自由电子与空穴 在价电子成为自由电子的同时，在它原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴表示该位置缺少一个电子，丢失电子的原子显正电，称为正离子。 自由电子又可以回到空穴的位置上，使离子恢复中性，这个过程叫复合。 电子电流与空穴电流 在外电场的作用下，有空穴的原子可以吸引相邻原子中的价电子，填补这个空穴。同时，在失去了一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴，它也可以由相邻原子中的价电子来递补，而在该原于中又出现一个空穴。如此继续下去就好象空穴在运动。而空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动，称为空穴电流。 杂质半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数目极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入微量的杂质(某种元素)，这将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电性能大大增强 N型半导体 P型半导体 N型半导体 在硅或锗晶体中渗入少量磷(或其它五价元素)。每个磷原子有五个价电子故在构成共价键结构时将因多出一个价电子，这样，在半导体中多出的该价电子容易挣脱束缚形成自由电子。这种以自由电子导电作为主要导电方式的半导体称为电子型半导体或N型半导体。 P型半导体 在硅或锗晶体中渗入硼(或其它三价元素)。每个硼原子只有三个价电子故在构成共价键结构时将因缺少一个电子而形成一个空穴，这样，在半导体中就形成了大量空穴。这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴半导体或P型半导体。 PN结及其单向导电性 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的形成 在一块晶体两边分别形成P型和N型半导 体。图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼)离子，带负电； 代表失去一个电子的五价杂质(例如磷)离子带正电。由于P区有大量空穴(浓度大)，而N区的空穴极少(浓度小)，因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。 扩散和漂移的动态平衡形成了PN结 PN结的单向导电性 如果在PN结上加正向电压，即外电源的正端接P区，负端接N区。 可见外电场与内电场的方向相反，故内电场被削弱，整个空间电荷区变窄，有利于多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(正向电流)，少子漂移电流微乎其微，此时PN结的电流可认为是多子的扩散电流，其大小受外电路的限流电阻R的制约。 如果在PN结上加反向电压，即外电源的正端接N区，负端接 P区。 可见外电场与内电场的方向相同，因此空间电荷区加厚，内电场增强；多子的扩散极难进行，少子的漂移运动得以顺利进行。通过PN结得电流主要是漂移电流，其值较小，通常为微安级，称为反向饱和电流，此电流受温度影响较大。PN结反偏时，呈现高阻截止状态。 思考题： 为什么空间电荷区靠近N区的一侧带正电，而靠近P区的一侧带负电？ 空间电荷区既然是由带电的正负离子形成，为什么它的电阻率很高？ 半导体二极管 二极管的基本结构和类型 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的应用 特殊二极管 二极管的基本结构和类型 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。 从P区引出的电极称为阳极（正极），从N区引出的电极称为阴极（负极）。 按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。 二极管的伏安特性 所谓二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系。二极管既然是一个PN结，它当然具有单向导电性，所以其伏安特性曲线如图所示。 死区 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 反向击穿 击穿发生在空间电荷区。发生击穿的原因，一种是处于强电场中的载流子获得足够大的能量碰撞晶格而将价电