[工学]半导体器件物理 第二章 能带和载流子.ppt

§2.1 半导体材料 固体材料：绝缘体、半导体和导体 半导体易受温度、光照、磁场及微量杂质原子影响 元素半导体：硅、锗 化合物半导体：二元、三元、四元化合物 GaAs 、InP、AlxGa1-xAs、 Gaxln1-xAsyP1-y §2.2 基本晶体结构 基本立方晶体单胞 金刚石结构 闪锌矿结构 金刚石结构和闪锌矿结构的区别 金刚石晶格结构 Si,Ge,C 等IV族元素，原子的最外层有四个价电子 金刚石结构和闪锌矿结构的区别 不同：前者由两种相同的原子组成，后者由两类不同的原子组成。 相同：都由两面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。 §2.3 基本晶体生长技术 硅晶体、95%（目前半导体材料） 原始材料：石英岩（高纯度硅砂 SiO2） 步骤：1 、SiC+SiO2—Si+SiO+CO 2 、Si+3HCl —SiHCl3+H2 3 、SiHCl3+H2 —Si+3HCl 多晶硅 4 、拉单晶 ：柴可拉斯基法 §2.4 共价键 金刚石晶格结构：共价键 闪锌矿晶格结构：共价键 但存在微量离子键成分 本征激发或热激发： 电子与空穴 见Flash §2.5 能带 电子共有化运动 原子能级分裂成能带 绝缘体、半导体、导体的能带 电子共有化运动 能级的分裂和能带的形成 N个原子互相靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距相近的能级，这N个能级组成一个能带。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带。 用能带论来区分导体、半导体、绝缘体 价带：电子已占满，在外场作用下，不形成电流。 导带：电子被部分占据。电子可以从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级，形成电流。 禁带：最低的空带－导带和价带之间的距离称为禁带宽度。 能量-动能图 硅与砷化镓的能带结构 直接禁带半导体与间接禁带半导体 砷化镓也被称为直接禁带半导体，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。 硅、锗也被称为间接禁带半导体，当电子从价带转换到导带时，需要动量转换。 §2.6 本征载流子浓度 热平衡状态 本征激发与本征半导体 费米分布函数与玻尔慈曼分布函数 本征载流子浓度 热平衡状态 概念： 在一定的温度下，电子从低能量的量子态跃迁到高能量的量子态及电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态这两个相反过程之间建立起动态平衡，称为热平衡状态。 本征半导体 概念： 本征激发：当半导体的温度T0k时，就有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴的过程。 当半导体中的杂质远小于有热激发产生的电子空时，此半导体称为本征半导体。 两种分布函数及适用范围 费米分布函数 公式： 玻耳兹曼分布函数 公式： 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 载流子浓度乘积 公式： 表3 300K下锗、硅、砷化镓的本征载流子浓度 §2.7 施主与受主 非本征半导体 施主与受主 多子与少子 非简并半导体 简并半导体 施主与受主 替位式杂质 与间隙式杂质 施主杂质与施主能级 受主杂质与受主能级 间隙式杂质、替位式杂质 (a) 间隙式扩散(interstitial) 施主杂质(donor) V族： P, As V族元素取代Si原子后，形成一个正电中心和一个多余的价电子。 该价电子的运动状态： 比成键电子自由 受到As＋ 的库仑作用。 As＋：不能移动的正电中心 施主杂质(n型杂质）：能够向晶体提供电子同时自身成为带正电的离子的杂质。 杂质电离(Impurity Ionization) 杂质电离：电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程 杂质电离能：使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量。 ?ED Eg，(P在Si中的电离能：44meV) 施主电离：施主杂质施放电子的过程。施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态；电离后成为正电中心，称为离化态。 施主能级 受主杂质(acceptor) III族元素：B B取代Si后，从别的硅原子中夺取一个价电子，产生一个负电中心(B-)和一个空穴。 受主杂质(p型杂质）：能够接受电子并使自身带负电的杂质。 2.7.1 非简并半导体 费米能级EF比EV高3kT或比EC低3kT，或者说电子或空穴的浓度远低于导带或价带中有效态密度。-----非简并半导体 对浅层施主：完全电离时 电子浓度n=ND（ ND施主浓度） 费米能级 EC-EF=kT