[工学]太阳能光电材料及物理基础.ppt

纲 要 半导体材料是什么 半导体材料的物理基础 什么样的半导体材料适合作为光伏材料 光生伏特效应 1.半导体材料是什么 何谓半导体 半导体材料的分类 半导体材料的性质 何谓半导体 导体，电阻率在1010Ω.cm以上，如各种金属 半导体，电阻率在10-5到108Ω.cm，如硅，锗，硫化锌等等 绝缘体：电阻率在10-6到10-5Ω.cm以下，如云母，水泥，玻璃，橡胶，塑料等等 半导体材料的分类 按大范围，分为有机半导体，无机半导体，有机-无机半导体复合材料，以下仅介绍无机半导体分类 组成元素类别可分为元素半导体，化合物半导体 从晶体结构，晶体半导体，非晶半导体 从特性和功能分，微电子材料，光电子材料，光伏材料 半导体材料的性质 杂质敏感性 负的电阻率温度系数 光敏性 电场效应和磁场效应 材料永远起着决定一代社会科技水平的关键作用 锗是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料 硅是最典型、用量最广泛而数量最多的半导体材料 近年来一些化合物半导体材料已被应用于各种器件的制作中 半导体已经发展成为种类繁多的大科门类材料 2.半导体（光伏）材料的物理基础 载流子的产生 （能带，载流子） 载流子的分离（pn结） 载流子的产生 能带理论 能级理论 非平衡载流子 能带理论 能带的形成 载流子的定义 能带的形成 波尔理论 ①核外电子只能在有确定半径和能量的轨道上运动,且不辐射能量 ②基态：能量最低； 能级：轨道的不同能量态； 激发态：电子被激发到高能量轨道上 ③激发态的电子不稳定，跃迁到低能级，以光的形式释放能量。 晶体是由大量的原子组成，由于原子间距离很小，原来孤立原子的各个能级将发生不同程度的交叠，结果导致： 1.电子也不再完全局限于某一个原子，形成“共有化”电子。 2. 原来孤立的能级便分裂成彼此相距很近的N个能级，准连续的，可看作一个能带 载流子 自由电子 自由空穴 半导体的导电特征 导带上的电子参与导电 价带上的空穴也参与导电 半导体具有电子和空穴两种载流子 金属只有电子一种载流子 能带理论（小结） 能带的形成（能级交叠带来电子共有化以及能级分裂） 自由电子和空穴 能级理论 杂质半导体 杂质能级 费米能级 杂质半导体 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置上，而是在平衡位置附近振动 半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种缺陷，点缺陷，线缺陷，面缺陷 杂质能级 施主能级，受主能级 深能级，浅能级 施主与受主杂质能级 深能级 在半导体硅、锗中，除Ⅲ、Ⅴ族杂质在禁带中形成浅能级外，其它各族元素掺入硅、锗中也会在禁带中产生能级 非III、V族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，它们产生的受主能级距离价带顶也较远。通常称这种能级为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。 这些深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应地有一个能级。因此，这些杂质在硅、锗的禁带中往往引入若干个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。（过渡金属价态不稳定） 一般情况下含量极少，而且能级较深，它们对半导体中的导电电子浓度、导电空穴浓度(统称为载流子浓度)和导电类型的影响没有浅能级杂质显著。 对载流子的复合作用比浅能级杂质强，故这些杂质也称为复合中心。 费米能级的含义 费米能级是一个具有统计意义的统计量，描述的是半导体电子能量的一种统计水平 温度大于0K时，大多数电子优先排布于费米能级以下的位置 费米能级与载流子浓度的关系 费米能级在能带中所处的位置,直接决定半导体电子和空穴浓度. 费米能级的位置 能级理论小结 杂质半导体（p型半导体，n型半导体） 杂质能级（施主能级，受主能级，深能级，浅能级） 费米能级 非平衡载流子 定义：非平衡状态下的载流子，简称非子。 产生：光注入，电注入(电路中的pn结） 复合：直接复合，间接复合或者辐射复合，非辐射复合，俄歇复合 非平衡载流子的复合 复合的微观机构来看，分为直接复合和间接复合 根据复合发生的位置，又可以分为体内复合和表面复合 载流子复合时一定要释放出多余的能量，根据放出能量的类型可以分为：发射光子（伴随有发光现象）为辐射复合，载流子将多余的能量传递给晶格，加强晶格的振动（发射声子）为非辐射复合，能量给予其他载流子为俄歇复合。 非平衡载流子的复合 直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而引起的非平衡载流子的复合过程 间接复合：非平衡载流子通过复合中心（禁带能级）的复合 辐射复合：非平衡载流子复合时，多余能量以发射光子的形式存在，又称发光复合 (LED，激光） 非辐射复合：非平衡载流子复合时，电子将能量传递给晶格，产生热能，对外发射声子的过程 俄歇复合：非平衡载流子从高能级向低能级跃迁，发