[工学]第6章 半导体存储器与可编程.pptVIP

 6.1.1 RAM的基本结构 RAM的基本结构由存储矩阵、地址译码、读写控制和输入输出缓冲器等四个部分组成。图6.1是N字1位RAM结构图。 存储矩阵是由许多存储单元组成的阵列，如图中小方块所示。每个小方块代表一个存储单元，这此存储单元可存储二进制数并可随时读出和写入。 地址译码器是将外部给出的地址进行译码，找到唯一对应的存储单元。根据存储单元所排列的矩阵形式，通常将地址译码器分成行译码器和列译码器。 读写控制是数据读取和写入的指令控制，它和输入输出缓冲器完成数据的读写操作。  6.1.2 RAM的存储单元 RAM的存储单元结构有双极型、NMOS型和 CMOS型。双极型速度快，但功耗大，集成度不高。大容量的RAM一般都采用MOS型。MOS型RAM的基本存储单元有静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。 1. 静态 RAM(SRAM)  图6．2为由MOS管触发器组成的存储单元图。其中MOS管为NMOS，V1、V2，V3、V4组成的两个反相器交叉耦合构成基本RS触发器作基本存储单元，V5、V6为门控管，由行译码器输出字线X控制其导通或截止；V7、V8为门控管，由列译码器输出Y控制其导通或截止，也是数据存入或读出的控制通路。