[工学]第6章电荷耦合器件.pptVIP

电荷耦合器件(CCD) CCD的基础介绍 电荷耦合器件是一件基于MOS晶体管的器件，由一系列MOS晶体管并列而成。故而CCD并不是一种新发明的器件，是MOS电容器的一种新的用法。在适当次序的时钟控制下，CCD能够使电荷量有控制地穿过半导体的衬底而实现电荷的转换。 CCD的MOS结构是利用在电极下氧化物-半导体界面形成的深耗尽层工作的。也就是说CCD是基于非稳态的MOS电容器的器件。 CCD主要功能： 信息处理和信息存储器件 固态图像传感 1 电荷耦合器件的结构 4 CCD的电极结构 在CCD中电荷的转移（右移）条件： 在MOS阵列上所加的各路电压脉冲即时钟脉冲，必须严格满足相位要求，使得任何时刻势阱的变化总是朝着一个方向。例如，电荷是向右转移，则任何时刻，当存有信号的势阱抬起时，在它右边的势阱总比它左边的深，这样，就保证了电荷始终朝右边转移。 驱动电路 不同的型号的CCD器件具有不同的驱动时序，在这介绍TCD1209D的工作时序。 图所示是TCD1209D的驱动脉冲波形。SH与驱动脉冲CR1之间的相位关系必须如图所示，即在SH为高电平期间CR1也必须为高电平，而且必须保证SH的下降沿在CR1的高电平上，以确保所有光敏区的信号电荷能够并行的转移到模拟移位寄存器CR1的电极下方形成的深势阱里。完成信号电荷的并行转移后，SH变为低电平，它下方形成的浅势阱使光敏区与模拟移位寄