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HEMT;HEMT的发展历史;一、HEMT简介;二、HEMT的发展历史;二、HEMT的发展历史;二维电子气模型; 如果三维固体中电子在某一个方向上的运动受到阻挡,被局限于一个很小的范围内,那么,电子就只能在另外两个方向上自由运动,这种具有两个自由度的电子就称为二维电子(2DEG)。
当势阱较深时,电子基本上被限制在势阱宽度所决定的薄层内,即形成了(2DEG)。
特点:电子(或空穴)在平行于界面的平面内自由运动,而在垂直于界面的方向受到限制。
;二、典型的二维电子气(2DEG);三、二维电子气(2DEG)的能量状态;三、二维电子气(2DEG)的能量状态;AlGaAs/GaAs HEMT;制备工艺:
1.在半绝缘GaAs衬底上生长GaAs缓冲层(约0.5μm)
2.高纯GaAs层(约60nm)
3. n型AlGaAs(铝镓砷)层(约60nm)
4. n型GaAs层(厚约50nm)
5.台面腐蚀隔离有源区
6.制作Au/Ge合金的源、漏欧姆接触电极
7.干法选择腐蚀去除栅极位置n型GaAs层
8.淀积Ti/Pt/Au栅电极。;一、GaAs体系HEMT的结构;一、GaAs体系HEMT的结构;二、GaAs体系HEMT的工作原理;二、GaAs体系HEMT的工作原理;二、GaAs体系HEMT的工作原理;二、GaAs体系HEMT的工作原理;三、GaAs体系HEMT的重要参数;三、GaAs体系HEMT的重要参数;三、GaAs体系HEMT的重要参数;三、GaAs体系HEMT的重要参数;四、GaAs体系HEMT优缺点;InGaAs沟道HEMT;一、PHEMT概念;二、PHEMT结构;二、PHEMT工作原理; 而对PHEMT来说,在加了非掺杂的InGaAs层之后,其导带就发生变化,成为a的样子。在InGaAs层的靠近n-AlxGa1-xAs层一侧,势垒高度为0.3eV,与b相同,而在靠近非掺杂GaAs一侧,也出现了导带的不连续性,形成一个0.17eV的势垒。这样,非掺杂的InGaAs层实际上就成为一个量子阱,就是说,比常规HEMT对电子又多加了一个限制。一般认为,这是使PHEMT有较低输出电导和较高功率附加效率的一个原因。; 对InGaAs两侧调制掺杂,形成双调制掺杂PHEMT,双调制掺杂PHEMT的薄层载流子浓度是常规PHEMT的二倍,因此有非常高的电流处理能力。对于1μm栅长的器件,在300K和77K下已分别达到430mA/mm和483mA/mm的水平。;二、PHEMT较之常规HEMT的优点;GaN基HEMT;一、GaN材料;GaN材料与其他半导体材料比较:;一、GaN材料;一、GaN材料;截面图;二??GaN基HEMT;二、GaN基HEMT;二、GaN基HEMT;二、GaN基HEMT;三、GaN基HEMT的重要参数;三、GaN基HEMT的重要参数;四、GaN基HEMT制备工艺及技术;四、GaN基HEMT制备工艺及技术;四、GaN基HEMT制备工艺及技术;四、GaN基HEMT制备工艺及技术;四、GaN基HEMT制备工艺及技术;四、GaN基HEMT制备工艺及技术;五、GaN基HEMT面临的问题;五、GaN基HEMT面临的问题;五、GaN基HEMT面临的问题;六、GaN基HEMT的应用与进展;六、GaN基HEMT的应用与进展;六、GaN基HEMT的应用与进展;六、GaN基HEMT的应用与进展;六、GaN基HEMT的应用与进展;六、GaN基HEMT的应用与进展;Thank You!
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