半导体材料--第二章元素半导体.ppt

第二章 元素半导体材料 本章介绍以锗、硅为代表的元素半导体材料。因目前国内外，各种类型的半导体器件，如晶体管、集成电路，大规模集成电路等多采用硅单晶制成。所以这里重点讨论硅单晶材料。至于化合物半导体材料将在后面讲述。 单晶硅棒材料(见硅材料图1、图2） 加工成硅片可用来制作各种类型的半导体器件 (图3、图4) 单晶 多晶 多晶硅是生产制备单晶硅的原材料，多晶硅经提纯后，纯度可高达9个 “9” ，甚至更纯（见多晶硅图）。现在首先介绍高纯多晶硅的制备。 § 2-1 多晶硅的制备 多晶硅制备方法及工艺流程，如图4-1所示。 一、 工业硅的制备 工业硅，一般是指95~99％纯度的硅．又称粗硅．或称结晶硅。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而成，其反应式为 工业硅中所含杂质主要有Fe，Al，C，B，P、Cu等。其中Fe含量最多．因此， 人们通常称工业硅为硅铁。目前市售工业硅按纯度递减分为四个型号，分别称1级硅、2级硅、 3级硅和4级硅 。 工业硅的纯化最常用的方法是酸浸法（酸洗）。即当硅凝固时，多数杂质（Fe、Al、C、B、P、Cu等）离析在晶粒周围，这些杂质往往呈硅化合物或硅酸盐状态,一般都可用酸溶解。 只有少数杂质如碳化硅、氧化铁不溶。而硅则不溶于酸中，为此可采用酸浸法纯化工业硅、故称化学提纯。酸浸法所用酸有：盐酸、硫酸，王水、氢氟酸及其不同组合的混合酸。 二、四氯化硅（SiCl4）的制备 制备四氯化硅的方法很多，工业上主要采用工业硅与氯气合成方法。其反应式 三、三氯氢硅（SiHCl3）的制备 工业硅经氯化氢处理即可得到三氯氢硅。其反应原理如下： 四、精馏提纯 在粗三氯氢硅中，含有杂质如硼、磷、钛、铁、铜等的氯化物。提纯的目的就是要最大限度地除去这些杂质。三氯氢硅多用筛板精馏塔进行提纯。下面我们介绍精馏原理。 精馏是蒸馏时所产生的蒸汽与蒸汽冷凝时得到的液体相互作用，使气相中高沸点组分和液相中低沸点组分以相反方向进行多次冷凝和汽化，来达到较完全分离混合物的过程。 一般来说，粗SiHCl3中各种可能存在的组分及其性质如表4-1所示。 精馏过程是在逆流作用塔式设备内进行的，其设备如图4-2所示。在塔内，被蒸液体所产生的蒸汽自下而上流动，升入塔顶，蒸汽又被冷凝变成液体，自上而下流动。 如图4-2所示，在这种连续的气液两相接触过程中就产生传热和传质现象。 图4-2 SiHCl3精馏装置示意图 来自下方蒸汽冷凝放出潜热使上方液体部分汽化，易挥发组分从液相转入汽相，而同时下方蒸汽放出潜热后也部分地凝为液体，难挥发组分从气相转入液相。 这样在每块塔板上同时进行着气液两相热交换和质量交换，当具有充分多的塔板时，气体沿塔上升途中，易挥发组分不断由液相向汽相转移；最上一块板出来的蒸汽几乎全部是易挥发组分，冷凝后得到纯度较高的馏出液。 同理，液相从塔顶到塔底