半导体物理基础3半导体导电性.ppt

例题 例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。（3）计算该半导体材料的电阻率。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化. 解: 4.5 Hight-Field Effects (强电场效应) 1 欧姆定律的偏离 解释： * 载流子与晶格振动散射交换能量过程 * 平均自由时间与载流子运动速度有关 加弱电场时，载流子从电场获得能量，使载流子发射的声子数略多于吸收的声子数。载流子的平均能量与晶格相同,仍可认为载流子系统与晶格系统保持热平衡状态。 加强电场时，载流子从电场获得很多能量，使载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子系统与晶格系统不再处于热平衡状态。 一、 载流子与晶格振动散射交换能量过程 与光学波声子散射 载流子从电场获得的能量大部分又消失,故平均漂移速度可以达到饱和。 极强电场时： 二、 平均自由时间与载流子运动速度有关 无电场时： 平均自由时间与电场无关 低电场时： 平均自由时间与电场基本无关 强电场时： 平均自由时间由两者共同决定。 半定量分析： 稳态条件 对于声学波声子散射 其中： 代入（1）式得： 即： 电子与声子碰撞后失去能量 对于光学波声子散射 代入（1）式： 4.3 Intervalley Carrier Transfer （能谷间的载流子转移） 1 Intervalley Scattering ( 能谷间散射） 物理机制： 从能带结构分析 n1 n2 *Central valley *Satellite valley 中心谷： 卫星谷： 谷2（卫星谷）： E-k曲线曲率小 1 电场很低 2 电场增强 3 电场很强 2 Negetive differential conductance(负微分电导) 在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小。 负的微分电导（negetive differential conductance）。 NDC 阈电场（threshold field） 对于GaAs： 实验现象： 3 Gunn effect (耿氏效应) 4.1.载流子的漂移（drift）运动 半导体中的载流子在外场的作用下，作定向运动---漂移运动。 第4章 半导体的导电性 (Electrical Conductivity) 1、 drift (漂移) 相应的运动速度---漂移速度 。 漂移运动引起的电流---漂移电流。 迁移率的大小反映了载流子迁移的难易程度。 可以证明： 2 Mobility（迁移率） ------迁移率 单位电场下，载流子的平均漂移速度 3 影响迁移率的因素 半导体的主要散射（scatting）机构： * Phonon （lattice）scattering 声子（晶格）散射 * Ionized impurity scattering 电离杂质散射 * scattering by neutral impurity and defects 中性杂质和缺陷散射 * Carrier-carrier scattering 载流子之间的散射 * Piezoelectric scattering 压电散射 * Intervalley scattering 能谷间的散射 能带边缘非周期性起伏 （1）晶格振动散射 纵波和横波 声学波声子散射几率： 光学波声子散射几率： （2）电离杂质散射 电离杂质散射几率： 总的散射几率： P=PS+PO+PI+ ---- 总的迁移率： 主要散射机制 电离杂质的散射： 晶格振动的散射： 温度对散射的影响 迁移率 4.2 迁移率与杂质浓度和温度的关系 1. 迁移率~杂质浓度 杂质浓度 电离杂质散射 2. 迁移率与温度的关系 掺杂很轻：忽略电离杂质散射 μ 高温： 晶格振动散射为主 μ T 晶格振动散射 μ 一般情况： 低温： 电离杂质散射为主 T 电离杂质散射 T 晶格振动散射 4.3 载流子的迁移率与电导率的关系 (Mobility~Conductivity) -------殴姆定律的微分形式 1. 殴姆定律的微分形式 2. 电流密度另一表现形式 3.电导率与迁移率的关系 Ez 电导迁移率 电导有效质量 4.多能谷下的电导 4.4 电阻率与掺杂、温度的关系 1. 电阻率与杂质浓度的关系 轻掺杂：μ~常数；n=ND p=NA 电阻率与杂质浓度成简单反比关系。 非轻掺杂 ｛ μ：杂质浓度 μ