半导体物理学-8.ppt

QUST 半导体物理 *第七章 半导体物理基础 第八章 半导体表面与MIS结构 8.1 表面态概念 8.2 表面电场效应 8.3 Si-SiO2系统的性质 8.4 MIS结构的C-V特性 8.5 表面电导及迁移率 8.1 表面态概念 8.1.1 表面的特殊性 1. 表面处晶体的周期场中断； 2. 表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性； 3. 表面往往需要特殊保护措施，如钝化等 4. 表面是器件制备的基础，如MOSFET等 8.1.2 理想表面 理想一维晶体的表面态：薛定谔方程 EV0 第一组解：等同于一维 无限周期场的解 第二组解：对应于表面态 表面能级 在表面（x=0）两边，波函数指数衰减，说明电子分布几率主要集中在x=0处，即电子被局限在表面附近。 每个表面原子对应禁带中一个表面能级，这些能级组成表面能带。 理想一维晶体的表面态：化学键理论 例子：硅晶体 －表面处每个硅原子将有一个未配对电 子－－悬挂键，对应的电子能态就是表 面态 －硅晶体表面原子密度～1015cm-2，悬挂键密度也应～ 1015cm-2 8.1.3 真实表面 1.清洁表面 在超高真空(UHV) (～10-9 Torr)环境中解理晶体，可以在短时间内获得清洁表面，但与理想表面不同：解理后的表面易形成再构 2.真实表面 自然氧化层（~ nm）－大部分悬挂键被饱和，使表面态密度降低 表面态密1010~1012 cm-2 施主型：俘获电子后呈现电中性，空态时 呈现出正电荷态 受主型：俘获电子后呈现负电荷态，空态 时呈现出电中性 3.界面 掺杂不同－Si pn(同质结) 不同半导体－异质结 金半接触－肖特基接触 晶粒间界－多晶结构 金属－氧化物－半导体－MOSFET 8.2 表面电场效应 8.2.1 空间电荷层 半导体表 面层产生 电场起因 外加偏压 功函数差 电荷 (固定电荷, 界面态等) MIS结构实际上就是个电容 Qm = ? Qs 空间电荷层 (space charge) 氧化层外的金 属一侧电荷 金属 metal 半导体内的 空间电荷 半导体中自由载流子密度低得多，对应Qs的电荷量需要分布在一定厚度的表面层内，这个带电的表面层叫做空间电荷层。 表面势Vs－空间电荷层两端的电势差，表面比内部高为正 助记例子： 电力线从正电荷出发终止于负电 荷，电势沿电力线方向减小 Qm0 假设 8.2.2 空间电荷层中的泊松方程 1 半导体表面是个无限大的面，其线度空间电荷层厚度→一维近似，（ρ, E, V） 不依赖 y, z 2 半导体厚度 空间电荷层厚度→半导体体内电中性 3 半导体均匀掺杂 4 非简并统计适用于空间电荷层 5 不考虑量子效应 例子：一维p型半导体 泊松方程 玻尔兹曼统计 已知 x→+∞ 时 两边乘以dV 从空间电荷层内边界积分到表面 “＋”: V 0 “－”: V 0 德拜长度 (p型半导体) 表面势为正， 能带下弯，电 场指向半导体 内部为正方向 F 函数，无量纲数 8.2.3 半导体表面电场、电势和电容 x = 0 V(0) = Vs 电场指向半 导体内部为 正方向 面电荷密度 8.2.4 半导体表面层的五种基本状态 1 多子堆积（积累）状态 积累 Vs0 平带 Vs=0 Vs0 Vs=0 2平带状态 3耗尽状态 VBVs0 另一种求解面电荷密度 的途径－“耗尽层近似” 积累 Vs0 平带 Vs=0 耗尽 Vs∈(0,VB) 4 反型状态 耗尽状态 VBVs2VB Vs ↑ d ↑ Qs 对表面势依赖：从Vs1/2 到 exp(qVs/2kT)“耗尽层近似” 依然适用 强反型－表面处少子浓度开始超过体内多子浓度 Vs≥2 VB Vs ↑ d = dmax Qs ∝ exp(qVs/2kT) 外加电场被 反型层中积 累的电子所 屏蔽，耗尽 层宽度达到 最大。 5 深耗尽状态 Vs 2VB Vs ↑ d dmax 非平衡状态，空间电荷层的载流子跟不上外加电压变化 从深耗尽到热平衡反型层态所需的热驰豫时间τth为100～102s！ 反型层的建立不是一个很快的过程！ “耗尽层近似”依然适用 8.3 Si-SiO2系统的性质 8.3.1 Si-SiO2系统中的电荷状态 1. 界面陷阱电荷（快界面态） Qit 2. 氧化层中固定电荷 Qf 3. 氧化层中可动电荷 Qm 4. 氧化层中陷阱电荷 Qot 1.界面陷阱电荷（快界面态） Qit界面态密度 Dit (1) Dit1010 ~ 1012 cm-2eV-1 (2) Dit在禁带中呈现“U”形连续分布 (3) Qit与晶向关系： [111] [110] [100] (4) Q 依赖退火处理 2. 氧化层中固定电荷 Qf (1) 在外加电场下，不可移动 (