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5.3.3 高频功率放大器的动态特性与负载特性（续11） 三种工作状态的比较 欠压状态： Icm1基本不随RP变化，可视为恒流源；输出功率与效率较低，随RP增加而增大；集电极耗散功率大，随RP增加而减小。一般很少工作于该状态，可用于基极调幅。 临界状态：输出功率最大，效率较高，一般末级功率放大采用。 过压状态：可分为强过压和弱过压两种。在弱过压状态下， Vcm基本不随RP变化，可视为恒压源，效率可达最高，但输出功率有所下降，一般用于中间级放大。 5.3.4 各极电压对工作状态的影响 讨论这个问题对调整高频功放的工作状态，使其工作于最佳状态有指导意义。利用晶体管进行高电平调幅时，管子工作于丙类状态，调幅是依靠改变各极电压实现的，所以该问题对理解高电平调幅也有帮助。 5.3.4 各极电压对工作状态的影响(续1) 改变VCC对工作状态的影响 前提： RP 、VBB 、Vbm不变。设原先处于临界状态: VCC ↑ ?进入欠压， IC0 、Icm1 略有增大 VCC ↓ ?进入过压， IC0 、Icm1 ↓线性 vC iC vBmax ?Q VCC ? ?Q VCC ?Q VCC ? ? ? ? iC 5.3.4 各极电压对工作状态的影响(续2) O 过压 临界 欠压 O 过压 临界 欠压 O 过压 临界 欠压 VCC对工作状态的影响 应用：过压区 集电极调幅 5.3.4 各极电压对工作状态的影响(续3) 改变Vbm对工作状态的影响 前提： RP 、VBB 、VCC不变。设原先处于临界状态: Vbm ↓ ?进入欠压，IC0 、Icm1 ↓线性 Vbm ↑ ?进入过压，脉冲幅度基本不变，但凹陷加剧，故IC0 、Icm1略有↓ vce iC vBmax1 vBmax2 ?Q VCC vBmax4 ? ? ? ? iC vBmax3 ? ? 5.3.4 各极电压对工作状态的影响(续4) O 欠压 临界 过压 O 欠压 临界 过压 O 欠压 临界 过压 Vbm对工作状态的影响 5.3.4 各极电压对工作状态的影响(续5) 改变VBB对工作状态的影响 前提： RP 、Vbm 、VCC不变。设原先处于临界状态: VBB ↑ 相当于Vbm ↓进入欠压 VBB ↓ 相当于Vbm ↑进入过压 vbe ? -VBB vBmax1 vB iC ? -VBB vBmax2 ? -VBB vBmax3 vce iC vBmax1 vBmax2 ?Q VCC vBmax3 ? ? ? ? iC 应用：欠压区基极调幅 5.3.5 谐振功率放大器的计算 有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器，设已知ＶCC＝24Ｖ，Ｐｏ＝２Ｗ，工作频率＝１MHz。试求它的能量关系。由晶体管手册已知其有关参数为fＴ≥70MHz ，Ap（功率增益）≥13 dBＩCmax＝750ｍＡ, ＶCE(sat)(集电极饱和压降)≥1.5Ｖ,ＰCM＝１W。 解： １）由前面的讨论已知，工作状态最好选用临界状态。作为工程近似估算，可以认为此时集电极最小瞬时电压 2） 如果告知ξ？ 5.3.5 谐振功率放大器的计算（续1） 3）选?c=70o， 4） 未超过电流安全工作范围。 5） 6） 7） 8） 9） 5.4 晶体管谐振功率放大器的高频特性 0.5fβ fβ 0.2fT fT 高频区 低频区 中频区 高频功放一般工作于中高频区，前面的分析均从晶体 管的低频特性来说明，实际高频功放工作与前述结果 有差异。 造成差异的主要原因是少数载流子在基区扩散的渡越 时间和PN结的势垒电容的影响。 5.4 晶体管谐振功率放大器的高频特性（续1） 在低频和高频工作时的发射极电流脉冲波形 C E B P N N VBE + - 5.5 高频功率放大器的电路组成 5.5.1 馈电线路 5.5.2 输出、输入与级间耦合电路 5.5.1 馈电线路 以上的高频功率放大器的电路仅仅是其原理图。欲使高频功率放大器正常工作于丙类某一最佳状态，与小信号谐振放大器同样，必须有正确的直流通路和交流通路。除此之外，还要尽量减少功率传输中的损耗。这就涉及其馈电线路的实现问题。 对不同频率电流的等效电路 5.5.1 馈电线路(续1) 集电极电路的两种馈电形式 晶体管 负载回路 直流电源 5.5.1 馈电线路(续2) 基极馈电的两种形式 晶体管 耦合回路 直流电源 5.5.1 馈电线路(续3) 几种常用的产生基极自给偏压的方法 并馈 并馈 串馈 5.5.2 输出、输入与级间耦合电路 输出匹配网络 使负载阻抗与放大器所需要的最佳阻抗相匹配，以保证放大器传输到负载的功率最大，即它起着匹配网