PCB蚀刻沙龙.pptVIP

Shennan Circuits Co.,Ltd A PCB Provider ,mn,n, 深圳市深南电路有限公司SHENNAN CIRCUITS CO., LTD Etching Salon 罗 斌 2005.04 SES DES 碱性蚀刻 酸性蚀刻 蚀刻概述 蚀刻(Etching）目的：通过化学方法，将不需要的铜箔予以去除，在板材上形成客户所需的电路图形 蚀刻液（Etchant)种类：氯化铁系列、过硫酸铵系列、铬酸系列、亚氯酸钠、酸（碱）性氯化铜 抗蚀剂(Etching Resist)种类：干膜、油墨、锡、铅锡、金、镍 蚀刻药水与抗蚀剂的搭配该如何选型？ 蚀刻药水与抗蚀剂匹配性 不同蚀刻药水特性 三氯化铁蚀刻液：蚀刻速度快，溶铜能力低，蚀刻速率不稳定，再生困难，废液处理困难 硫酸－铬酸蚀刻液：溶液稳定，侵蚀能力强，蚀刻后需有去渍处理，操作不便；铬酸废液处理成本高，含有害物质 过硫酸铵蚀刻液 ：蚀刻速度和溶铜能力低，易分解，不易再生 亚氯酸钠蚀刻液：溶液不稳定，使用过程中有氯气逸出，不易再生 酸（碱）氯化铜蚀刻液：蚀刻速度和溶铜能力较高，容易再生，对环境污染较小 蚀刻加工工艺 酸性蚀刻 蚀刻原理（CuCl2系列） 蚀刻：Cu+Cu2+ +2Cl- → Cu2Cl2 Cu2Cl2 + 4Cl- →2[ CuCl3 ]2- 再生： 6H++ 6Cu+ +ClO-3 → 6Cu2+ +Cl- +3H2O 工艺控制参数 温度：蚀刻速率温度升高而加快(?不能太高） 盐酸（HCl):提供酸性环境及氯离子，随盐酸含量提高蚀刻速率变快 氯酸钠（ NaClO3 ）：做蚀刻液再生剂，将1价铜氧化成2价铜，恒定蚀刻液的氧化/还原值，保证蚀刻的循环进行， 比重：通过铜含量来控制（130—150g/l)蚀刻速率 氧化还原值 电极电位 E=E0 + (0.059/n)*lg([Cu2+]/[Cu+]） E0为标准电极电位 n为反应过程中的电子得失 可见： E与 [Cu2+]/[Cu+]有关 Cu+浓度在一定范围（0.4g/l)时，蚀刻速率较为稳定，此时可得出蚀刻时的氧化还原控制值(530mv)，可算出再生剂的控制范围（AQUAR控制器) 酸性蚀刻工艺流程 内层酸性蚀刻(DES) （内图加工板）入料→显影（developing) →水洗→蚀刻（etching)→水洗→去膜(stripping)→水洗→吹干→烘干→出料 （钻靶） 外层酸性蚀刻 （ES) （外图加工板）蚀刻（etching)→水洗→去膜(stripping)→水洗→吹干→烘干→出料（外检/钻孔） 显影：将不曝光的膜（油墨）去除以待蚀刻，保留曝光的干膜覆盖铜面以获取电路图形 碳酸钠 0.8—1.2% 30±3℃ 显像点（Break Point) 去膜（油墨）：蚀刻后将覆盖铜层上的膜去除，得到所需的电路图形 氢氧化钠 3.5—5.0% 50 ±5℃ 加工能力 内层酸性蚀刻（IS线、营琦线） 3mil/3mil (H/H) 4mil/4mil (2oz/2oz) 外层酸性蚀刻（扬搏线） 4mil/4mil (1oz/1oz) 掩孔蚀刻对环宽和干膜封孔能力有要求 碱性蚀刻工艺 蚀刻原理（CuCl2系列） 蚀刻： Cu+Cu（NH3)4Cl2 →2 Cu（NH3)2Cl 再生：4 Cu（NH3)2Cl+O2 + 4（NH4)Cl + 4NH3 ·H2O → 4Cu（NH3)4Cl2 +6H2O 工艺控制项目 PH值：通过氨水浓度来控制，促使铜氨络合离子的形成，稳定蚀刻速率，保证蚀刻精度 Cl离子：由氯化铵提供，配合完成蚀刻过程中的再生反应，提高溶液容铜能力，稳定蚀刻速率 温度：恒定反应的蚀刻速率 铜含量：通过比重计进行控制，稳定蚀刻速率 碱性蚀刻工艺流程（外层蚀刻） （图形电镀加工板）入料→去膜（stripping) →水洗 →蚀刻（etch) →水洗→去锡→水洗→风干→吹干→出料（外层检验