电子技术第04讲多级放大器,场效应管.ppt

对耦合电路要求： 跨导gm 跨导gm = ? ID / ? UGS 因为有SiO2绝缘层，所有栅极无电流。 ?耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 实验表明，在UGS(off)＜＝UGS ＜＝ 0时，耗尽型场效应管的转移特性可近似表示： 0 ID UGS UGS(off) IDSS UGS(off)-夹断电压 IDSS –原始沟道导电电流 UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V = ? ID / ? UGS =（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V ? UGS ? ID § 15.9.2 场效应管放大电路 1. 电路的组成原则及分析方法 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流（ID）区。 (2) 动态: 能为交流信号提供通路。 组成原则 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 符号及特性曲线 G S D ID UDS UGS G S D UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V Q ? ID = gm ? UGS id=gmugs ID = gm UGS 2 场效应管的微变等效电路 G S D S G