第8章mos场效应器件性能与设计1.ppt

* * 半导体器件原理 南京大学 Chapter 8. CMOS 器件设计与性能参数 一、 CMOS 器件设计 1.1 MOSFET的等比例缩小 ?光刻技术：短沟道导致密度速度和功率的改进 ?离子注入：浅或陡峭的掺杂界面或低掺杂浓度的实现 半导体器件原理 南京大学 （1）恒定场的等比例缩小 当减小横向尺寸时，等比例缩小器件的径向尺寸，并等比例减小外加电压，增加衬底的掺杂浓度，以使短沟道效应得到控制。 恒场等比例缩小的基本原则： 将器件工作电压和器件尺寸包括(横向和纵向)缩小相同的比例，以保证电场保持不变。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 ?泊松方程的不变：等比例增加掺杂浓度 ?最大耗尽层宽度：等比例缩小 ?所有电容：等比例缩小（正比于面积而反比于厚度） ?反型层电荷：保持不变 ?速度饱和效应：保持不变（电场不变） 恒场等比例缩小规则： 半导体器件原理 南京大学 ?漂移电流： 等比例缩小（单位MOSFET宽度漂移电流不变） ?单位MOSFET宽度扩散电流：等比例增加 等比例缩小对电路参数的影响 电路延迟等比例缩小（正比于RC 或CV/I，假设沟道电阻保持不变，而寄生电阻可以忽略或保持不变） 半导体器件原理 南京大学 恒场等比例缩小的最重要结论： 当器件尺寸和工