模拟电子线路模电场效应管.ppt

半导体场效应管 1 结型场效应管 2 绝缘栅场效应管 3 场效应管的主要参数及电路模型 4 双极型和场效应型三极管的比较 场效应三极管仅由一种载流子参与导电—单极型器件 用输入电压控制输出电流的的半导体器件—VCCS 从参与导电的载流子来分，有N沟道器件和P沟道器件 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类 结型场效应管 1.结型场效应三极管的结构 转移特性曲线 FET分析思路 转移特性曲线是指在一定的UDS下，uGS与iD的关系 。 只要在输出特性曲线上以UDS＝10V作一条垂线，与各条不同的uGS值对应的iD曲线相交，将相应的 uGS与 iD值画在uGS 与 iD坐标上，就得到转移特性曲线。 转移曲线各点的斜率就是该工作点的跨导。 结型场效应管的特性小结 JFET分析思路 JFET是一种耗尽型器件，在栅源之间没有外加电压时，其沟道已经存在，且此时加上一特定的外加漏源电压时，形成的电流即为饱和漏极电流IDSS。 当栅源加反偏电压时，沟道变窄，在同样的漏源电压作用下漏极电流变小，而当栅源反偏电压大到一特定值U GS(off) 时，沟道夹断，漏源电流为0。 MOSFET与JFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。