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第七章 半导体存储器 半导体存储器：用来存储大量二进制信息的器件 1、存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产， 简单，便宜，非易失性。 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 7.4.2 字扩展方式 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 从ROM的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线 即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 教学基本要求 了解: 常用存储器的引线功能 理解：常用存储器的工作原理、 存储器容量扩展的方法 用ROM实现组合函数的方法 本章重点 存储器容量的扩展 用存储器实现组合逻辑函数 难点：存储器的工作原理 一、组成 存储矩阵、 地址译码器、 输出缓冲器 第七章 半导体存储器 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 容量大引脚数有限 7.1 概述 三、分类 二、重要指标 存取容量、存取速度 双极型 MOS型 1、从工艺分： 2、从存/取功能分： 只读存储器 ROM 随机存取存储器 RAM 特点：存储的数据具有非易失性。适于存储固定数据场合。 特点：数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 Flash Memory E2PROM UVEPROM ROM 掩模ROM PROM EPROM RAM 静态 RAM （SRAM） 动态 RAM （DRAM） 一、结构 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 存储单元 数据输出 位线 地址译码器 地 址 输 入 字 线 0单元 1单元 i 单元 2n-1单元 A0 A1 An-1 W0 W1 Wi W2n-1 D0 D1 Db-1 … … 输出缓冲器 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 地址线 位线（数据线） 字 字线 2、存储器的容量：“字数 × 位数” 两个概念： 写入时，要使用编程器 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 使用SIMOS管的256×1位EPROM 三、快闪存储器（Flash Memory） 一、结构与工作原理 1024×4位RAM(2114)结构框图 六管N沟道增强型MOS管 二、SRAM的存储单元 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 例：用几片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM？ 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 1024 x 8 RAM 例：用几片256 x 8位→1024 x 8位 RAM？ 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 例：用几片256 x 8位→1024 x 8位 RAM ？ 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) 一、基本原理 例2见P377 7.5.1