[信息与通信]半导体器件物理第五章_59230712.pdf

J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 半导体器件 物理进展 第五章双极型晶体管的优化设计及 性能因子 Bipolar Device Design Optimization and Performance Factors J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 本章内容提要： 双极型晶体管（BJT ）基础 双极型器件的设计优化 双极型器件的等效电路及其性能因子 SiGe HBT 的原理与优势 双极型器件与CMOS器件之对比 J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 1. 双极型晶体管（BJ