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全球第一家集成电路网络超市(IC网络超市);CONTENT 1.静电保护器件　ESD保护管 2.MOSFET 3.电压基准（Voltage Regerence) ;静电保护器件　ESD保护管 ;静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。当ESD保护管受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10~12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。 ESD保护管的电路符号与普通稳压二极管相同。 ESD保护管的正向特性与普通二极管相同， 反向特性为典型的PN结雪崩器件。 ;ESD保护管的优点：响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。 ;VRWM (Reverse Peak Working Voltage) ：指 ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。当这个反向电压加在 ESD保护管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当 ESD保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压 VBR 时， ESD保护管可能继续呈现高阻状态。使用时 VRWM 不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选 VRWM ＝ 0.9VBR 。 VBR (Rev