４Ｈ－ＳｉＣ　ＭＥＳＦＥＴ直流Ｉ－Ｖ特性解析模型.docVIP

４Ｈ－ＳｉＣ　ＭＥＳＦＥＴ直流Ｉ－Ｖ特性解析模型 　　摘 要：提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期，可以有效地预测器件的工作状态。?? 　　关键词：4H-SiC；射频功率MESFET；I-V特性；解析模型?? 　　中图分类号：TN386 文献标识码：B 　　文章编号：1004-373X(2008)10-024-03?? 　　 　　An Analytical Model of I-V Characteristics of 4H-SiC MESFET?? 　　REN Xuefeng,YANG Yintang,JIA Hujun?? 　　(Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Insti of Microele,Xidian University,Xi′an,710071,China)?? 　　Abstract：An improved analytical model for 4H-SiC MESFET is developed,which is based on an analysis of the 2-D distribution of charges under the gate,with field-dependence mobility,velocity saturation and channel-length modulation effects taken into consideration.Simulation results show that the model with channel-length modulation effects match the measured I-V characteristics in the saturation region.In the initial design of device,the work state can be predicted effictive.?? 　　Keywords：4H-SiC;RF MESFET;I-V characteristics;analytical model?? 　　 　　SiC是一种宽禁带半导体,有许多值得关注的物理特性和电特性,具有禁带宽度大（3.2 eV）、临界击穿电场强度高（2~4×106 V/cm）、热导率高（4.9 W/cm#8226;K）、载流子饱和速率高（2×107 cm/s）等优越特性。Chatty等[1]研制的MOSFET的击穿电压达到了1200 V,而Agarwal等[2]研制的4H-SiC UMOSFET的击穿电压达到了1 400 V,??制备的4H-SiC MESFET的工作频率最高已达20 GHz ［3],??表明SiC功率器件在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。?? 　　高功率应用中的短栅4H-SiC MESFET,高场下的电子迁移率变化和沟道调制效应对饱和区的电流有较大影响。本文在SiC MESFET解析模型[4，5]的基础上,考虑高场下载流子速度饱和的情形并计入沟道调制效应的影响,从而使建立的模型更加精确。?? 　　 　　1 电子的速度-电场关系?? 　　迁移率和速度-电场关系是影响器件I-V特性、开关速度及工作频率的主要因素。在低场条件下,常用的低场迁移率经验模型为： 　　?ИЕ?0 ?? = μmin ?? + μmax ??-μmin ??1 + (N + ??d ??Nref ??)α[JY]（1）?И? 　　式中,??N+d是离化杂质浓度；μmax??，μmin??，α和Nref??是经验拟合参数。在300K时 ［6],μmin??=40 cm2/Vs,μmax??=950 cm2/Vs,??α=0.76和Nref??=2×1017??cm-3??。?И? 　　本文采用改进的多参数速场关系模型[4],可以描述其在高场工作下的峰值速度,并研究了高场下的电子迁移率变化,模型的计算结果与MC（蒙特卡罗）仿真结果吻合： 　　?И?v(E)=μ1E+μ0E(EE0)θ+25vsat??(EE1)η1+(EE0)θ+(EE1)η[JY](2)?И? 　　其中,??vsat??=vmax??1+0.6exp(T/600 K)。?? 　　式（2）中,vsat??是饱和速