[工学]微电子概论复习内容.ppt

基本概念 微电子、集成电路、集成度 微电子的战略地位 对人类社会的巨大作用 集成电路的几种主要分类方法 按器件类型 按规模 一些英文缩写词 IC、VLSI、ULSI 、DRAM 、CMOSFET 集成电路的发展历史 微电子的特点 微电子学：电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(?m, 1?m＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子的特点 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 集成电路（Integrated Circuit，IC）： 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）或陶瓷等基片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成电路分类 集成电路的分类 器件结构类型 集成电路规模 使用的基片材料 电路形式 应用领域 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 半导体中载流子的散射有几种模式，其主要特点是什么，影响因素有哪些？ 用电中性条件和热平衡条件分别推导掺杂浓度为ND的n型和掺杂浓度为NA的p型半导体中费米能级EF的表达式。 1、根据载流子输运情况，解释PN结的单向导电性 2、NPN管的工作原理和特性 3、讨论PMOS晶体管的工作原理和特性 pn结的单向导电性 PN 结加反向电压（反向偏置） 1. VGS VTN时，由于未形成导电沟道，所以不管VGS的大小如何，iD=0。场效应管的工作在截止区。如图4.4(a)所示。 ②随着VDS的增大，氧化物下部靠近漏极端的电压降低（∵VGS不变，∴VGD=VGS-VDS变小），即靠近漏极端的反型层变薄，沟道在此处的导电能力下降，从而导致iD关于VDS的特性曲线的斜率降低。 沟道的性质类似于可变电阻的性质，故称该区域为可变电阻区。如图4.5(b)所示。 ③当VDS增大到使氧化物与漏极之间的电压等于VTN时，靠近漏极端的反型层电荷密度为0，即iD关于VDS的特性曲线的斜率为0，称该状态为夹断状态。如图4.5(c)所示。 夹断状态时，夹断方程： ④当 第四章 集成电路工艺 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用 简述光刻的工艺过程 Salicide工艺 淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层； 淀积Ti或Co等难熔金属 RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属； 最后形成Salicide结构 第五章 半导体材料 集成电路材料概况（P115 图5.1） 材料的晶体结构：晶格结构、周期性、对称性、方向性 化学键：共价键、离子键、金属键、分子键 能带论 晶体缺陷：点、线、面、体缺陷 硅Si 硅在整个半导体材料占绝对优势。目前，90％以上的半导体器件和电路都是用Si来制作的。 硅材料的发展趋势： （1）提高硅的纯度,杂质含量＜10-9； （2）硅片的直径越做越大； （3）几何精度要求越来越高。 外生粒子、晶生粒子 锗硅合金 种类：无定形、结晶形和超晶格 制备方法： 结晶形：直拉法、水平法、热分解法和热压法 超晶格：分子束外延、金属有机化学气相沉积 特点：能带结构、禁带宽度可以 通过改变组分进行调节，制造工艺与Si工艺兼容，兼有GaAs优点 用途：微电子技术、太阳能电池 应变Si材料 CMOS器件中，向Si沟道材料中引入一定的应力，可改变载流子在沟道中的输运特性，提高迁移率。从而提高器件的速度性能。 全局应力、局域应力 只有在特定方向上施加应力，才可有效提高沟道迁移率。 pMOSFET----单轴压应力 （GeSi做源漏端材料） NMOSFET----单轴张应力（利用栅极SiN覆盖） 以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速