[工学]第3章5_6_7__光电式传感器 1.ppt

光导摄像管 光导摄像管的成像过程 1、光像到达光电阴极后，产生光电效应，由光子激发出电子来，各点发出来的电子数目正比于光像的光照强度，在光电阴极上形成电子密度像； 2、激发电子穿过金属栅栏打到靶极，靶极受高速电子的轰击产生二次电子发射。二次电子被金属栅网所捕获，靶极因逸出二次电子而带正电，形成电位像。靶上电位高处对应于景物的亮点，电位低处对应于景物的暗点； 光导摄像管 光导摄像管的成像过程 3、用电子枪准确地瞄准靶极上的点并对靶面进行扫描(所以又称电子扫描成像为像面扫描成像)。靶面上点从电子束中摄取电子，使靶极达到零电位。从电子枪中射出的电子束的电子数目是固定不变的，但靶面各点吸收电子的数目却因各点的电位高低而不同，返回的剩余电子数形成了图像信号； 4、为了提高输出信号的强度，在电子枪外套有一组电子倍增器。返回的电子被收集极吸取后，再一次利用二次电子发射效应，将电流逐级倍增。假如一个返回电子撞击收集极打出ｎ个二次电子，那么有ｍ个倍增级就可把信号放大ｎｍ倍。最后输出的信号，即输出的图像信息称为视频信号。 §3.7 图像传感器原理及其应用 CCD 与 CMOS 传感器的工作原理 CCD 与 CMOS 传感器的性能差异 图像传感器在应用市场上的发展趋势 图像传感器 图像传感器有两种： 线型图像传感器一般用在传真机及扫描仪之类的产品中； 面型图像传感器则广泛地用于摄录像机。 CCD图像传感器 CCD---电荷耦合器件 贝尔实验室 1970年 博伊尔,史密斯 图像传感器(CCD)发明者获2009年诺贝尔物理学奖 功能 光电转换 信息存储 传输 CCD传感器结构 CCD基本单元：MOS电容器 在P（N）型硅衬底上通过氧化在表面形成SiO2层，然后在SiO2 上淀积一层金属（栅极） 电子势阱：存贮电荷 光电转换 光照下，光生电荷存贮到电子势阱 CCD芯片的构造 金属 氧化物 少数载流子耗尽区 PSi （a） 电子静电位能 表面势 信号电荷 势阱 （b） 图1 CCD结构和工作原理图 (a)用作少数载流子贮存单元的MOS电容器剖面图 (b)有信号电荷的势阱，图上用阱底的液体代表 CCD传感器电荷转移传输 每个像素有三个转移栅极 由3个相位相差120 °的时钟脉冲φ1、φ2、φ3来驱动 时钟脉冲前沿陡峭、后沿倾斜 高电平形成势阱，低电平垒起阱壁 随着时钟脉冲的变化，电荷向外移出 图2 三相CCD传输原理图 (a) (b) t1 t2 t3 (c) (d) t1 t2 t3 t4 CCD传感器芯片 CCD 与 CMOS 传感器的差异 随着数码相机、摄像机和手机相机的兴起，图像传感器正逐渐成为半导体产品中最耀眼的明星之一，而在图像传感器中，日商所独占的 CCD 传感器与百家争鸣的CMOS 传感器都在尽力克服自身的缺点，希望成为市场上的主流技术。 图1 CCD传感器的结构 图2 CMOS传感器的结构 CCD与CMOS传感器技术简介 CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器，两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，将图像转换为数字数据，而其主要差异是数据传送的方式不同。 CCD与CMOS传感器技术简介 CCD传感器中，每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出； CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。 CCD与CMOS传感器的差异 1. 灵敏度差异： 由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。 CCD与CMOS传感器的差异 2. 成本差异： 由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本；除此之外，由于CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个象素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破50%的水平，因此，CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。 CCD与CMOS传感器的差异 3. 分辨率差异： CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂，其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平。 CCD与CMOS传感器的差异 4. 噪声差异： 由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相