半导体mos场效应管n沟道增强型mosfet五.pptVIP

* 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 一、N沟道增强型MOSFET 五、MOSFET的主要参数 二、N沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOSFET 四、沟道长度调制效应 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 一、N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 剖面图 符号 1. 结构（N沟道） 2. 工作原理 ⑴vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0vGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS≥VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 ⑵vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ? iD? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ? iD? ?沟道电位梯度? 当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT ⑵vDS对沟道的控制作用 预夹断后，vDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ? iD基本不变 ⑵vDS对沟道的控制作用 ⑶ vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 ⑴输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 ⑴输出特性及大信号特性方程 ②可变电阻区 ?n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 ③ 饱和区（恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： ⑵转移特性 二、N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理简述（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子。 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流。 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型） 三、P沟道MOSFET 四、沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为?m 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 修正后 五、MOSFET的主要参数 1.直流参数 NMOS增强型 ⑴ 开启电压VT （增强型参数） ⑵ 夹断电压VP （耗尽型参数） ⑶ 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） ⑷ 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 2.交流参数 ⑴ 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ ⑵ 低频互导gm 考虑到 则 其中 3.极限参数 ⑴ 最大漏极电流IDM ⑵ 最大耗散功率PDM ⑶ 最大漏源电压V（BR）DS ⑷ 最大栅源电压V（BR）GS 5.2 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 ⑴简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 ⑴简单的共源极放大电路（N沟道）