接面场效电晶体MOSFET.PPTVIP

Maximum Ratings 請參閱書本更多資料 電氣特性 規格表 * 增強型 MOSFET 結構 汲極 (D) 與 源極 (S) 連接到 n-摻雜區。 這些n-摻雜區是經由 n-通道連接的。 閘極 (G) 是經由薄的 SiO2 絕緣層連接到摻雜 p的基質。 沒有通道 摻雜的 n材料位於摻雜的 p基質上，因此會有一增加的連接端腳而稱為 基質 (SS)。 * 增強型 MOSFET之基本操作 VGS 為永遠正的 當 VGS 增加, ID 增加 當 VGS 為持定值而 VDS 增加時, 那麼 ID 飽和 (IDSS) 且到達飽和準位 VDSsat 。 增強型 MOSFET 只在增強模式下操作 * 增強型 MOSFET 轉移曲線 給予 VGS 而求得 ID : 其中: VT = 臨限電壓或是在 MOSFET 剛導通時的電壓。 k = 特性表上所找出的常數 k 也可使用在特定點上之值與下列公式來決定: VDSsat 可以下式來計算: * p-通道增強型 MOSFETs p-通道增強型 MOSFET 除了電壓極性與電流方向是相反之外，皆相同於 n-通道。 * 增強型MOSFET符號 * Maximum Ratings 電氣特性 請參閱書本更多資料 規格表 * 優點 益於邏輯電路設計 高的輸入阻抗 快的切換速率 低的操作功率準位 CMOS 裝置 CMOS (互補MOSF