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D06. 先进微电子与光电子材料 分会主席：王曦、汪正平、赵超、林庆煌、杨德仁 D06-01 非易失存储器发展态势和挑战（keynote ） 刘明 中国科学院微电子研究所 非易失存储器是集成电路最重要的技术之一，广泛应用于信息、航空/航天、军事/ 国防、新能源和科 学研究的各个领域，有着巨大的市场。目前主流的非易失存储技术—基于浮栅结构的“ 闪存”，尺寸微缩已 接近其物理极限，难以继续提高其存储密度和性能来满足大数据时代对信息存储和处理的需求。本报告将 介绍国际及中国存储器产业发展现状和面临的挑战、非易失存储器的学术研究态势及微电子所在该领域的 研究进展。 D06-02 相变存储器芯片制造 （invited ） 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 近年来，相变存储技术在学术界与工业界研究人员的共同努力下，已经由理论模型变成了真实产品。 经过了几十年的发展，PCRAM 已成为下一代非易失性存储技术的最佳解决方案，有望代替DRAM+Flash 的存储模式，在高速、海量存储方面具有巨大的潜力。本文介绍了相变存储器的发展历程与发展趋势，重 点介绍中国科学院上海微系统所与中芯国际集成电路有限公司在相变存储器新材料开发和工艺集成研究 成果。 D06-03 闪存存储器中的电报噪声及其物理机制研究（invited ） 陈杰智 山东大学 半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，随着大数据及物联网等新兴技术的急速发展， 需要存储分析的信息也正在爆炸式地增长。为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限来继续提高存储密度， 三维立体存储器正在逐步取代传统的二维平面存储器,成为未来大容量非挥发存储器的主流产品形态。本报 告将从二维平面架构到三维立体架构来阐述闪存存储器系统中所存在的各种可靠性问题，并重点聚焦于存 储单元中材料缺陷引起的电报噪声问题。通过对纳米尺寸器件中电报噪声特性在理论和实验上的研究深入 理解激发电报噪声缺陷的基本物理特性及其对存储器可靠性特性的影响。 D06-04 相变材料锗锑碲中的原子无序（oral ） 张伟 西安交通大学 基于相变材料的非易失存储器(PRAM)是最具竞争力的新型存储介质之一。其工作原理是利用硫系相 变材料（如锗锑碲GeSbTe ）的不同固体相间巨大的电阻差异来实现数据存储的，即“0” （非晶相，高电阻） 6 的巨大电阻差异主要取决于体系的 和“1” （晶体相，低电阻）。相变材料的电子关联性质非常弱，高达10 1 无序程度。通过第一性原理计算以及扫描透射电子显微学实验，我们系统地研究了锗锑碲非晶相、立方晶 相以及六角晶相中原子无序的类别、演化以及其对电子结构的影响。结合扫描透射电子显微学实验与能谱 分析实验，我们清晰地界定了立方相锗锑碲中的原子无序，尤其是空位的无序分布，并通过第一性原理计 算得出无序的空位分布最终导致了立方锗锑碲的电子局域化，解释了立方相锗锑碲绝缘特性的本质原因。 随着外加温度的提高，锗锑碲由立方相逐渐向六角相过渡，并伴随着绝缘体-金属性转变。通过第一性原理 计算与电子显微学实验的对比分析，我们揭示了空位有序化是导致锗锑碲导电特性转变的根本原因。同时 我们也从原子尺度揭示了无序从非晶到立方晶相再到六角晶相的微观转化过程。最终我们通过能带结构与 电子态密度分析给出了相变材料锗锑碲中巨大电阻差异的统一解释。该研究有助于深入理解相变存储器的 基本原理，并为器件调控原子无序提供了重要的理论依据。 D06-05 单晶氧化物薄膜的制备及其阻变特性研究（oral ） 游天桂，黄凯，贾棋，林家杰，张润春，张师斌，欧欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 阻变式存储器由于其结构简单、功耗低、读写速度快、储存密度高以及与现有CMOS 工艺相兼容等特 点，被认为是下一代非易失性高密度存储器的有力竞争者。金属氧化物薄膜作为阻变器件介质层材料表现 出了良好的阻变特性，是当前阻变存储器的研究热点。阻变式存储器的核心结构是“金属-氧化物薄膜-金属” 的三明治结构，氧化物薄膜的缺陷与器件的阻变特性密切相关。传统的薄膜生长方法（如PLD ，磁控溅射 等）由于受晶格失配、晶型失配以及界面缺陷等因素的影响，只能在金属衬底上生长出非晶或多晶氧化物 薄膜。非晶或多晶薄膜作为阻变氧化物介质层存在的问题包