S波段单片低噪声放大器.pdf

第３４卷第１期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ３４ Ｎｏ１ 　 ２００４年１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊａｎ．２００４ 　　　　　　 Ｓ波段单片低噪声放大器 １，２ ２ ２ １ 彭龙新 　 李建平　 蒋幼泉　魏同立 １ （东南大学微电子中心，南京２１００９６） ２ （南京电子器件研究所，南京２１００１６） 摘要：Ｓ波段单片低噪声放大器采用了０５ ｍ ３英寸（７６．２ｍｍ）砷化镓赝配高电子迁移率晶 μ  体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源（＋５Ｖ）供电．对３英寸圆片上的放大器芯片进行直流测 试后，随机抽取一定数量的样品装架测量，并对放大器进行了增益和相位的统计．统计表明：在Ｓ 波段带宽３００ＭＨｚ范围内，增益在２４５～２６ｄＢ范围内，相位线性度小于１°，相位偏差±７°，噪 声系数最大１４ｄＢ，输入输出驻波最大１４，１ｄＢ压缩输出功率大于１０５ｄＢｍ．另外，还对放大 器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验． 关键词：赝配高电子迁移率晶体管；微波单片集成电路；单片低噪声放大器；静电 中图分类号：ＴＮ７２２３　　文献标识码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２００４）０１０００５０５ ＳｂａｎｄＭＭＩＣｌｏｗｎｏｉｓｅａｍｐｌｉｆｉｅｒ １，２ ２ ２ １ ＰｅｎｇＬｏｎｇｘｉｎ 　 ＬｉＪｉａｎｐｉｎｇ　 ＪｉａｎｇＹｏｕｑｕａｎ　 ＷｅｉＴｏｎｇｌｉ １ （ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） ２ （ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅＳｂａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ（ＭＭＩＣ）ｌｏｗｎｏｉｓｅａｍｐｌｉｆｉｅｒ（ＬＮＡ）， ｗｈｉｃｈｗｅｒｅｃｏｍｐｏｓｅｄｏｆｔｈｒｅｅｓｅｌｆｂｉａｓｅｄｓｔａｇｅｓ，ｗｅｒｅｄｅｓｉｇｎｅｄａｎｄｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙ０．５ ｍＧａＡｓ μ ｐｓｅｕｄｏｍｏｐｈｉｃｈｉｇｈｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＨＥＭＴ）ｐｒｏｃｅｓｓｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｉｔｉｓｓｕｐｐｌｉｅｄｂｙａｓｉｎｇｌｅ ＤＣｐｏｗｅｒ （＋５Ｖ）．ＡｆｔｅｒｔｈｅＤＣｔｅｓｔｏｆｔｈｅａｍｐｌｉｆｉｅｒｃｈｉｐｓ，ｗｅａｒｂｉｔｒａｒｉｌｙｇｏｔｓｏｍｅｑｕａｎｔｉｔｙｏｆｔｈｅｓｅ ｃｈｉｐｓｆｒｏｍｔｈｅ３ｉｎｃｈｗａｆｅｒｓｔｏｂｅｐａｃｋａｇｅｄａｎｄｍｅａｓｕｒｅｄ，ｔｈｅｎｍａｄｅｓｏｍｅｇａｉｎａｎｄｐｈａｓｅｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ ｆｏｒｔｈｅｓｅａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ．Ｗｅｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄｔｈａｔｗｉｔｈｉｎ３００ＭＨｚｂａｎｄｗｉｄｔｈｏｆＳｂａｎｄ，ｔｈｅｇａｉｎｓｏｆｔｈｅｓｅ ＬＮＡｓａｒｅｂｅｔｗｅｅｎ２４．５ｄＢａｎｄ２６ｄＢ，ｔｈｅｐ