一种改善红光顶发射OLED色纯度及角度依赖特性的方法研究.pdf

第 卷第 期 光 子 学 报 ４２ １ 　 　 　 Ｖｏｌ．４２Ｎｏ．１ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２０１３ １ Ｊａｎｕａｒ２０１３ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｙ ： ／ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ０００１ ｇ 一种改善红光顶发射 ＯＬＥＤ色纯度及角度依赖 特性的方法研究 郭闰达，王鹏，陈宇，岳守振，赵毅，刘式墉 （吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，长春 １３００１２） 摘 要：在 ／ 衬底上生长金属银作为阳极，，， （ ） ＳｉＳｉＯ ４４４ｔｒｉｓ３ｍｅｔｈｌｈｅｎｌｈｅｎｌａｍｉｎｏ 　 ２ ｙｐ ｙｐ ｙ （ ）： ／ ／ ， （ ） ， ， ｔｒｉｈｅｎｌａｍｉｎｅｍＭＴＤＡＴＡ ＭｏＯｘｍＭＴＤＡＴＡ Ｎ Ｎｂｉｓ１ｎａｈｔｈｌＮ Ｎｄｉｈｅｎｌ１１ ｐ ｙ ｐ ｙ ｐ ｙ ， （ ）作为空穴注入及传输层，发光层采用 ， ， ｂｉｈｅｎｌ４４ｄｉａｍｉｎｅＮＰＢ ４４Ｎ Ｎｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｈｅｎｌ ｐ ｙ ｐ ｙ （ ）掺杂磷光染料（ （ ） ） （ ） （ （ ）（ ））的结 ＣＢＰ １ ｈｅｎｌｉｓｏｕｉｎｏｌｉｎｅｉｒｉｄｉｕｍ ＩＩＩ ａｃｅｔｌａｎｅｔｏｎａｔｅＩｒ ｉ ａｃａｃ ｐ ｙ ｑ ｙ ｐｑ２ 构，， ， （ ）作为空穴阻挡层及电子传输层，阴极为 （ ）／ ４７ｄｉｈｅｎｌ１１０ｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅＢＰｈｅｎ ＬｉＦ１ｎｍ ｐ ｙ ｐ （ ）／ （ ）复合阴极结构 通过在光取出的复合阴极上方生长一层 光学覆盖层，有 Ａｌ２ｎｍ Ａ ２０ｎｍ ． ＣＢＰ ｇ 效地改善了复合阴极膜系的透射率，从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性，在提高器件的正 向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动 并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明 ． 显得到改善，这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义 在原有结构的基础上增加 的 ．