参杂钆元素的氮化镓薄膜的磁性质-台大物理系.PDFVIP

參雜釓元素的氮化鎵薄膜的磁性質 駱芳鈺 國立台灣師範大學物理系 摘要 自 1990 年代開始，自旋電子學 (spintronics) 不論在凝態物理基礎研究，或是在工業 應用上 都是一個很重要的領域 – 其目的在於探討載流子自旋 (charge ， carrier spins) 在 凝態材料裡的性質，進而利用並調變這些自旋性質來製備新的電子元件。發展功能性的稀磁 性半導體 (functional diluted magnetic semiconductors) 正是自旋電子學重要的研究方 向 之 一 。目前 探討 得最 深 入也 最廣 泛的 功能 性稀磁 性半導體是 參雜錳 元素 (Mn) 的砷 化 鎵 (GaAs) ，只可惜這個材料的居禮溫度 (Curie temperature) 仍遠低於室溫 。隨著理論研究指 出氮化鎵 (GaN) 與氧化鋅 (ZnO) 具有發展室溫功能性稀磁性半導體的前景，相關的研究工 作也熱絡起來。本文將介紹近年來關於參雜釓元素 (Gd) 的氮化鎵薄膜之磁性與磁性形成機 制的研究成果，以及參雜Gd的氮化鋁 (AlN) 與氮化鎵的半導體異結構 (semiconductor heterostructure) 的磁致傳輸 (magnetotransport) 性質所顯現的鐵磁性特徵。前者能夠增 進我們對凝態物質的磁性質的了解，而後者則是朝向工業應用發展的初期研究。 前言 磁 交 互 作 用 為 RKKY 交 互 作 用 自 從 1988 年巨 磁 阻 ( giant (Rudermann-Kittel-Kasuya-Yosida magnetoresistance ，GMR) 效應的 發 現 interaction)，即透過載流子作為媒介的磁 [1,2]，以及 1990 年S. Datta和B. Das提出 交 互 作 用 (charge-mediated 自 旋場 效電晶 體 (spin field-effect interaction)。具備這兩個條件的功能性半 transistor ，spin-FET) 的概念之後 [3] ， 導體使得我們能夠發展工作溫度在室溫以上 探討凝態材料的各種自旋現象，與結合載流 的自旋電子學元件，並且有機會透過調變稀 子自旋 (charge carrier spins) 發展新的 磁性半導體的載流子濃度來改變其磁性，進 電子元件的研究日益活絡，而形成了一個稱 而調變自旋電子學元件的功能。 為自 旋電 子學 (spintronics) 的 新的 凝態 物理領域。發展功能性的稀磁性半導體 截至今日，研究得最深入也最廣泛的功 (functional diluted magnetic 能 性稀磁 性半導體是 H. Ohno 等 人首 先在 semiconductors) – 其 目 的 是 在 如 矽 1996 年成功製備的參雜錳 (Mn) 的 GaAs – (Si)、鍺 (Ge)、砷化鎵 (GaAs)、砷化銦 以下寫作Mn:GaAs [4] 。錳除了是磁性元素之 (InAs) 、氮化鎵 (GaN) 、氮化銦 (InN) 等功 外 ，它在GaAs裡則是受子 (acceptor) ，使得 能性半導體中參雜磁性元素，使得這些半導 GaAs成為由電洞 (hole) 導電的p型半導 體具備磁性，進而使得載流子的自旋具有自 體，因此， Ohno等人成功地利用閘極電壓調 發 的 方 向 性 (spontaneous spin 變 Mn:GaAs的磁性，證實Mn:GaAs的磁性是透 orientation) – 便是自旋電子學裡