二次离子质谱分析技术及其应用综述.pdfVIP

二次离子质谱 分析技术 及其应用 综述 国家硅基LED 工程技术研究中心 2011.6 二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry ，缩写符号为 SIMS)是一种通过用质谱法分析一次离子溅射产生的正、负二次离子 获得样品表面元素、同位素、化合物组分和分子结构以及一定的晶体 结构信息，扫描一次离子束或直接成像可以得到各种成分的面分布图 象，逐层剥蚀还可以得到各种成分的深度分布，从而得到三维成分分 布信息。SIMS 以其很高的灵敏度、很宽的动态范围和优良的深度分 辨已逐步发展成为一种很有特色的表面分析手段。 1 二次离子质谱学发展简史 二次离子质谱学的发展历史可追溯至1910 年[1-3]，J. J. Thomson 和Davisson ，German 在研究电子的波粒二象性时，在金属盘的电子 管中发现了离子效应。Thomson 推测二次粒子在各个方向上散发，在 很大程度上，二次粒子是中性的，只有一小部分带正电荷。1931 年， Woodcock 在近似整数质量分辨率下得到了关于NaF 和CaF2 的负离子 谱图，这是目前世界上已知的第一张二次离子质谱图。1949 年Herozg 和Vekbǒkc 最先把二次离子和质谱分析结合起来，为第一台SIMS 仪 器的诞生奠定了基础[1-4] 。离子束的形成和聚焦对SIMS 仪器的发展 具有重要的影响。1939 年，Andnene 把气体热电离产生的离子用一个 静电单透镜聚焦成30μm 直径的探针。1956 年，他又用双等离子体枪， 2 进一步把离子束直径缩小到μm 级，束流密度达到mA/cm 量级，为 动态SIMS 仪器的出现准备了必要条件。20 世纪70 年代，SIMS 形 成了两个发展方向：Benninghoven 及其合作者采用大束斑、低密度的 离子束，即静态二次离子质谱(Static secondary ion mass spectrometry， 缩写为SSIMS，如美国Phi-Evans 公司制造的TFS-2000 TOF SIMS) ， 进 行 有 机 样 品 的 表 面 分 析：Wittmaack 和Magee 等采用高 密度的一次束，即动态二次离子质谱(Dynamic secondary ion mass spectrometry，缩写为DSIMS ，如美国ARL 公司的MIMA 型商品谱 仪和法国CAMECA IMS 300 二次离子质谱) ，获取无机样品沿纵向方 向的浓度剖面和进行痕量杂质鉴定。1977 年在德国召开了第一届国 际SIMS 学会议。 第一台商业二次离子质谱是由 Herozg 及其同事在 1967 年为 NASA 制造的，用于分析从太空带回的样品中从H 到U 所有元素的 空间分布和同位素分布。此后，SIMS 越来越多地应用于各种领域。 二次离子质谱学在近二三十年来得到迅速发展，分析对象包括金属、 合金、半导体、多层膜、有机物以至生物膜。应用范围包括化学、物 理学和生物学的基础研究，并很快扩展到微电子、新材料、地质、医 学和生物工程等实用领域[5-8]。 2 SIMS 的原理和仪器结构 2.1 原理 SIMS 的基本原理[1, 3]示于图1：(1)利用聚焦的一次离子束在样 品上稳定地进行轰击，一次离子可能受到样品表面的背散射(概率很 小) ，也可能穿透固体样品表面的一些原子层深入到一定深度，在穿 透过程中发生一系列弹性和非弹性碰撞。一次离子将其部分能量传递 给晶格原子，这些原子中有一部分向表面运动，并把能量的一部分传 递给表面粒子使之发射，这种过程称为粒子溅射。在一次离子束轰击 样品时，还有可能发生另外一些物理和化学过程：一次离子进入晶格， 引起晶格崎变；在具有吸附层覆盖的表面上引起化学反应等等。溅射 粒子大部分为中性原子和分子，小部分为带正、负电荷的原子、分子 和分子碎片；(2) 电离的二次粒子(溅射的原子、分子和原子团等)按