论施密特触发器.pdfVIP

2007正 赣 南 师 范 学 院学 报 No．3 第三期 JournalofGannanNormalUniversity June．2007 论施密特触发器拳 康裕荣 ，康向东 (江西理工大学 8．机电工程学院．b．建筑与测绘工程学院，江西 赣州 341000) 摘 要：施密特触发器可以用于波形变换、脉冲整形、脉冲鉴幅．用CMOS反相器构成的施密特触发器中，。必 须小于 ，否则电路将进入 自锁状态，不能正常工作．从电压传输特性论述了当 大于 时，施密特触发器不具有 施密特触发特性，电路不能正常工作．论述 了用TTL门电路组成的施密特触发器中，在输入端串进的二极管D是减 小 。= 时门G2的负载电流．说明了同相输 出和反相输出施密特触发特性对应的施密特触发器图形符号在输出 端的区别． 关键词 ：施密特触发器；阈值 电压；电平 中图分类号：TP273，4 文献标识码：A 文章编号：1004—8332(2007)03—0065—03 1 用CMOS反相器构成的施密特触发器． 将两级 CMOS反相器串接起来，同时通过分压 电阻把输出端的电压反馈到输入端就构成了图1所 示的施密特触发器电路． 假定C和C的阈值电压为 1／2 ，且R R2． (a)电 路 (b) 形 符 学 (I)当 ，=O(低电平)时，，=0(低电平)， 图1 用CMOS反相器构成的施密特解发器 。：1(高电平)，。=0(低电平)．因C、C接成了 正反馈 ，所以Vo=VoL一0．这时C 的输人 口，=0． (Ⅱ)当 ，从0逐渐升高并达到 ，= 删时，由于G进入了电压传输特性的转折区(放大区)，所以 ，的 增加将引发如下的正反馈过程． ’ +’ l+ 于是电路的状态迅速地转换为V0=vo． ．由此便可以求出 ，上升过程中电路状态发生转换时对应 的输入电平 +． ，= Vr+(输入电压 ， Vr+在R、Rz上分压，在Rz上得到的电压 ·)所以 廿廿 _ (1+R1) (1) = + 称为正向阈值电压． (Ⅲ)当 ，= 为高电平时，，为高电平，。为低电平，。为高电平． (Ⅳ)当 ，从高电平 逐渐下降并达到 ，= 时，，的下降会引发又一个正反馈过程． +ul++ + 使 电路的状态迅速转换为I)0=VoL=0．由此又可以求出 ，下降过程中电路状态发生转换时对应的输人 电平 一． (i)当 ，= 时，，= ，。为低 电平，。为高电平． (ii)当 ，从 下降到 一时，输出 发生状态翻转，变为低电平，如图2所示． (iii)此时，，下降了( 一 一)，，就下降了( 一 一)1L三 ，此时 ，的电平为 ， 一( 1 -r n 0 拳 收稿 日期：2007—03—29 修 回日期 ：2007—05—17 作者简介：康裕荣 (1962一)，男，江西泰和县人 ，江西理工大学机电工程学院副教授，从事机电工程教学工作 赣南师范学院学报 2007钷 R2 删 R1 一