PVD物理气相沉积.pptVIP

* * * * 王振玉 2012.7.6 The Thin Films PVD的概念：在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料逸出沉积物质粒子（可以是原子、分子或离子），这些粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。 其技术关键在于：如何将源材料转变为气相粒子（而非CVD的化学反应）！ PVD的三个关键过程： 气相物质的 产生 运输 沉积 源材料发射粒子（气相原子、分子、离子） 气相粒子在基片上成膜（凝结、形核、长大） 激发粒子输运到基片 物理气相沉积（PVD） PVD的分类及简单介绍 利用真空泵将沉积室抽成真空，然后用高熔点材料制成的蒸发源将沉积材料加热、蒸发、沉积在基材上。 PVD的分类及简单介绍 当高能粒子（通常是经过电场加速的正离子）冲击固体表面时，固体表面的原子、分子和这些高能粒子交换能量，从而由固体表面飞溅出来的现象。 PVD的分类及简单介绍 多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。 已实现产业化 几种成膜工艺的比较 √ √ PVD的分类及简单介绍 PVD物理基础 等离子体技术 PVD物理基础 气体放电 镀膜区域 磁控溅射 磁控溅射：电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 磁 控 溅 射 原 理 结 构 图 沉积系统示意图 非平衡磁控溅射 多弧离子镀 离子镀的基本原理是将蒸发了的金属原子在等离子体中离化后在基体材料中析出薄膜。另外通过输入反应性气体也能析出化合物陶瓷等。 多弧离子镀的基本原理就是把金属蒸发源 (靶源)作为阴极, 通过它与阳极壳体之间的弧光放电, 使靶材蒸发并离化, 形成空间等离子体, 对工件进行沉积镀覆。 多弧离子镀机构示意图 引弧电极与阴极靶表面接触的瞬间引燃电弧。因为接触面积很小，接触电阻很大，在较大电流密度下和强电场作用下，向外发射热电子和场致发射电子，电子发射集中处产生大电流，形成弧斑。 大电流高温导致大量阴极材料粒子被蒸发出来形成阴极材料粒子气体，这些粒子气体很快与获得电场加速的电子碰撞而发生离化，形成阴极材料的低压直流等离子体。 部分等离子体被吸引到阴极表面，形成空间电荷层，产生强电场，使阴极表面功率函数小的点发射电子，重复过程(a)中的电子发射过程。 电弧形成过程 多弧离子镀示意图 多弧离子镀膜过程 电弧离子镀时影响薄膜质量的几个因素 真空度的影响 真空度比较低的话使分子自由程降低，蒸发离子的能量降低，容易形成粗大的膜层组织。 负偏压的影响 一定的负偏压可以提高沉积金属的能量和基片温度，有利于消除锥状晶和柱状晶，更容易获得细密的等轴晶。 温度的影响 高的工件温度可以使到达的膜层粒子容易进行迁移和扩散，有利于获得细密的等轴晶组织。 靶基距的影响 随着靶基距的增大，膜层粒子在向工件迁移的过程中，产生非弹性碰撞的几率增大，有利于提高金属的离化率和散射率。即膜层粒子有更多的机会被碰撞而改变方向，提高膜层的绕镀能力。 * * *