第15章 基本放大电路教学课件.ppt

本章要求： 放大的概念: 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1.3 共射放大电路的电压放大作用 结论： 15.1.3. 共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直、流通路和交流通路 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用估算法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 15.3.1 微变等效电路法 2. 图解分析 3. 非线性失真 3. 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.7 多级放大电路及其级间耦合方式 2.阻容耦合放大电路 15.8 差分放大电路 15. 8. 1 差分放大电路的工作原理 1. 零点漂移的抑制 2. 信号输入 2. 信号输入 (3) 比较输入 15. 8. 2 典型差分放大电路 抑制共模信号 ：Re的共模负反馈作用 15.9 互补对称功率放大电路 15.9.1 对功率放大电路的基本要求 15.9.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 15.10 场效应管及其放大电路 15.10.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.10.3 场效应管放大电路 15.10.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 场效应管的交流等效模型 作 业 (5) 克服交越失真的OTL互补对称放大电路 两个晶体管T1 (NPN型)和T2(PNP 型)的特性基本相同。 R1 和 D1、D2 上的压降使两管获得合适的偏压，工作在甲乙类状态。 OTL互补对称放大电路 O t ui O t uo iC2 iC1 ? R1 RL R3 R2 D1 D2 T1 T2 +UCC E C + uo + ? + CL + 在输出功率较大时常采用复合管 复合管的构成 ic1=? 1 ib1 , ic2=??2 ib2 = ?2 (1+?1 ) ib1, ic = ic1+ ic2 =[?1+?2 (1+??1 )] ib1 ? ?1 ?2 ib1 方式 1 ib2= ie1=(1+?1 ) ib1 , ib= ib1 , C B E T1 NPN T2 NPN ib ic ie B E C ib ic ie NPN ?复合管的电流放大系数 ? ? ?1 ?2 复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同 方式2 E B C T1 PNP T2 NPN ib ic ie B C E ib ic ie PNP 2. 无输出电容(OCL)的互补对称放大电路 OCL电路需用正负 两路电源。其工作原理 与OTL电路基本相同。 R1 RL R3 R2 D1 D2 T1 T2 +UCC A C + Ui + uo ? ?UCC ? + OCL互补对称放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 (1) N沟道增强型管的结构 1. 增强型绝缘栅场效应管 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ (2) N沟道增强型管的