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半导体硅中电化学注锺的研究
第42卷第2 期
化学学报 Vo1. 42, No. 2
198盛年 2 月
AC哩A OBIMICAS工NICA Feb. , 1984
半导体硅中电化学注锺的研究
彭瑞伍赞丁永庆李季龙
(中国科学院上海冶金研究所〉
在室温和非水溶液中用电化学法向p-8i 中注入组.借循环伏安法和问曲线观察铿在硅
表面的析出和溶出过程. 结果表明，铿的注入过程受组在硅表面层中的扩散和外场所控制，
因此可以用场制扩散方程式描述. 81MB 法测得的铿的纵向浓度分布证实了上述看法.
用电化学法向金属固和半导体例如氧化物田和硫化物阳中注入碱金属的研究和应用
日益广泛，但半导体硅的电化学注钮及其机理的研究尚少报道阳，并有值得商榷之处.本
文在室温的非水榕液中用电化学法向 p-8i 中阴极注入金属惶，以研究硅中惶的电化学行
为，讨论钮的注入机理和探索掺惶硅的实际应用.
实验
电化学法向半导体硅中注惶的实验装置示意图见图 1.
19 8
15
相应的电阻率
实验用两种掺B 的?缸，它们的载流子浓度分别为 10 和 10 /om
J
3.5 和 O.OO2SU.om. 实验前在硅片背面蒸A1J 作欧姆接触，并用金属丝为导线.测
为
定硅中惶的电化学行为和电化学注惺时以单晶硅为阴极3 以铀片为阳极. 电解液为无水
碳酸丙烯醋，其中榕有 O.lM 的无水 LiOl0 • 前者为化学纯试剂，经真空蒸锢，取100，..，
4
0
110 0 的锢份，估计水份含量降至10ppm 左右3 后者系由 Â.R. 级LiOl0 .3H 0 在
2
4
a一硅工作电极(阴极或阳极为
b-S但(参考电极);
。-pt 电极〈对电极);
d一串联电阻(100);
e一恒电位仪;
f一三角波发生器;
g-x-y 函数记录仪
图 1 实验装置示意图
(Schematic diagram of experimental apparatus)
1983 年 1 月 26 日收到.
费通讯联系人.
树上海科技大学1982 年毕业生.
126
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