模拟电子技术基础试卷4.doc

院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________ ………………………密…………………………封…………………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷4 题号 一 二 三 四 总分 得分 得 分 评卷人 一、填空题（每空1分，共20分） 得 分 评卷人 1．N型半导体的多子是 。 2．稳压管的稳压区是其工作在 。 3．如图1所示，设二极管导通电压＝0.7V，则电路的输出电压值为 。 4．现测得放大电路中这只管子两个电极的电流如图2所示。则另一电极的电流为 ，并在图2中标出其实际方向 ；在圆圈中画出管子的类型 。 5．对共射放大电路来说，发生截至失真的原因是Q点设置 ，发生饱和失真的原因是Q点设置 。 6．在差分放大电路中，大小相等、极性相同的信号称为 。 7．集成运放输入级采用差分放大电路是为了 。 8．如图3示，这是一个三级放大电路。上限截止频率分别为 Hz， Hz， Hz； 电路采用的是 直接 耦合方式。 9．由理想运放构成的运算电路如图4示，=0.6V，输出电压= 。 10．甲类功率放大电路中晶体管的导通角的值为 。 11．电感滤波电路中电感与负载的联接方式为 串联 ，电感滤波的输出电压较 低 。 12．滤波电路主要有 电容 ， 电感 ，LC滤波和型滤波。 图1 图2 图3 图4 图5 院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________ ………………………密…………………………封…………………………线………………………… 得 分 评卷人 二、选择题（每题只有一个正确答案，将答案填在横线上。每题2分，共20分） 1．PN结加反向电压时，将有利于 。 A．多子扩散 B．多子漂移 C．少子扩散 D．少子漂移 2．当晶体管工作在饱和区时，发射结和集电结为 。 A．前者正偏、后者正偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者反偏、后者正偏 D．前者反偏、后者反偏 3．如图5所示，三极管三个管脚电位给出，那么这个管子的类型和材料为 。 A．PNP硅管 B．PNP锗管 C．NPN锗管 D．NPN硅管 4．如果共射电路出现截止失真，那么解决的措施是 。 A．增大 B．增大 C．增大 D．减小 5．差分放大电路输入信号为，那么共模信号和差模信号分别为 。 A. B. C. D． 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A．共射放大电路 B.共集放大电路 C．共基放大电路 D．共源放大电路 7．当 时，一阶RC低通电路的相移达到－90度。 A． B． C． D． 8．电流并联负反馈会 输入电阻， 输出电阻。 A．增大，减小 B．增大，增大 C．减小，增大 D．减小，减小 9．正弦波振荡电路的平衡条件是