无机化学第九章配位化合物教材教学课件.ppt

E(eg) － E(t2g) = Δo = 10Dq 2E(eg) + 3E(t2g) = 0 E(eg) = 0.6Δo=6Dq 得到 E(t2g) = -0.4Δo = -4Dq 分裂能 Δt= 4/9 Δo 正四面体场 E(t2) = +1.78Dq E(g) = －2.67Dq 八面体场及四面体场中d轨道能级分裂对比 (三) 晶体场中d电子的排布(以八面体场为例): 1.能量最低原理： 2.洪特规则： 3.电子成对能对抗轨道分裂能：(对于d4~d10) 电子成对能：在某一轨道填充第二个电子时，须克服与原有电子自旋配对而产生的排斥作用，所需要的能量称为电子成对能，用P表示。只与中心离子有关。 弱场配体的晶体场较弱， △o P，电子排斥作用会阻止电子自旋配对，使后来的电子进入能级较高的eg轨道，生成单电子较多的高自旋配合物。 强场配体的晶体场较强， △o P，后来的电子进入t2g轨道，生成单电子较少的低自旋配合物。 △o (弱场)P，高自旋； △o (强场) P ，低自旋 一般：不同中心离子，P相差不大，但不同配体的△o却相差很大，所以不同配体，决定了配体强弱，也决定了中心原子d电子的排布。 正四面体场中，由于Δt= 4/9 Δo，分裂能小于电子成对能，所以四面体配合物都是高自旋的。 注： △o (弱场)P △o (强场)