[理学]第1.ppt

电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管：(0.6 ? 0.8)V 锗管：(0.2 ? 0.3)V 取 0.7 V 取 0.2 V 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 ２、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 １）截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 截止区 ICEO 特点：分三个区 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2）放大区： 放大区 截止区 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 ICEO 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 饱 和 区 ICEO 3）饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 五、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 O T2 T1 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 O 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 六、晶体三极管的主要参数 １、电流放大系数 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 六、晶体三极管的主要参数 2、极间反向饱和电流 CB 极间反向饱和电流 ICBO，决定了 晶体管工作的温度稳定性 CE 极间反向饱和电流 ICEO，又称穿透电流。受温度影响大 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 ３、极限参数 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 1）ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 2）PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 3）U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.4 晶体管 七、复合晶体管 NPN PNP 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.2半导体二极管及其应用 (2)面接触型二极管 (b)面接触型 PN结面积大，用于工频 大电流整流电路。 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.2半导体二极管及其应用 2、分类 1）按材料分：硅管和锗管 2）按结构分：点接触和面接触 3）按用途分：检波、整流…… 4）按频率分：高频和低频 二、符号和型号 A K 阳极、P型材料 阴极、N型材料 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.2半导体二极管及其应用 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 电子技术课程多媒体课件 第1章 半导体器件 §1.2半导体二极管及其应用 三、二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，u为二极管两端的电压降，UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，e 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室