[科技]薄膜真空技术.ppt

薄膜物理与技术;第一章 真空技术基础;1.1 真空的基本知识; 两类真空 自然真空和人为真空 相对真空和绝对真空; 真空单位 帕斯卡（Pascal）：Pa 托（Torr）：1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr 旧的单位：mmHg Torr bar atm ;; 粗真空 1×105 to 1×102 Pa 低真空 1×102 to 1×10-1 Pa 高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa 超高真空 1×10-6 Pa;1.1 真空的 基本知识;1.2 稀薄气体的基本性质;一、气体分子的速率分布 在平衡状态时，分布在任一速度区间v～v+dv内，分子的几率，满足麦克斯韦-波尔兹曼分布：;1.2 稀薄气体的基本性质;1.2 稀薄气体的基本性质;1.2 稀薄气体的基本性质; 示例 气体分子密度;20℃空气中，固体表面形成单原子层所需时间，取氮气：; 标准状态下撞击表面的气体原子在表面形成单原子层所需要的时间：;1.2 稀薄气体的基本性质;1.2 稀薄气体的基本性质;1.3 真空的获得－抽真空;1.3 真空的获得－抽真空;1.3 真空的获得－抽真空;1.3 真空的获得－抽真空;1.3 真空的获得－抽真空;? 机械泵 Rotary Vane Pumps;旋片式机械泵结构示意图和工作原理图;玻－马洛特定律;影响真空度的因素：;? 扩散泵 Diffusion Pumps;扩散泵极限压强;泵油要求： 化学稳定性好（无毒、无腐蚀） 热稳定性好（高温不分解） 抗氧化 较低的饱和蒸气压（小于等于10-4Pa） 工作时应有尽可能高的蒸气压;1.3 真空的获得－抽真空;1.3 真空的获得－抽真空;? 罗茨泵;1.4 真空的测量;1.4 真空的测量;低压下，气体的热传导与压强有关;1.4 真空的测量; 电子加速后，与气体分子碰撞产生电离，产生的正离子数正比于压强P，则有;1.4 真空的测量;本章小 结;第二章 真空蒸发镀膜法;原理: 在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。;一、特点及蒸发过程 结构部分: 真空室、蒸发源或蒸发源加热器、基板、基板加热器及测温器 优点：设备简单，易操作薄膜纯度高、质量好，厚度容易准确控制，成膜速率快、效率高，生长机理单纯 缺点：不易获得结晶结构的薄膜，薄膜在基板上的附着力小，重复性差;镀膜基本过程: （1）加热蒸发过程 是由凝聚相转变为气相（固相或液相→气相）的相变过程。 （2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。 飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程及蒸发源到基片之间的距离，常称源—基距。 （3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程 即蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。;二、饱和蒸汽压－Pvap;饱和蒸气压与温度关系的理论推导: 克拉伯龙——克劳修斯方程;可得到;三、蒸发速率 一定压强P下，单位时间内碰撞单位面积容器壁的分子数 材料表面液相、气相达动态平衡时 当a=1,Pk=0时，得最大蒸发速率 ;上式乘以原子或分子质量，得质量蒸发速率 ;四、蒸发分子的平均自由程与碰撞几率 真空室有两种粒子：蒸发物原子或分子；残余气体分子 （1）残余气体 气体分子对基板的碰撞次数 则在25℃时，10-5Torr压力时，每秒1015个残余气体分子到达基板，薄膜的淀积速率一般为几个埃/秒. 残余气体与蒸发物分子按比例1：1到达基板表面。所以要求蒸镀的真空度为10-6Torr ;（2）蒸发分子的平均自由程 ;（3）碰撞几率 未碰撞分子数 被碰撞分子百分数 当λ=源-基距时，碰撞几率为63% 当λ源-基距时，可有效减少蒸发分子渡越时的碰撞 五、蒸发所需热量和蒸发粒子的能量 蒸发源所需的总热量（蒸发源所需的总功率） ;（1）蒸发材料蒸发时所需的热量 若有生成或分解时，需考虑该部分热量；直接升华的物质，Lm和Lv可不考虑。 （2）热辐射损失的热量 与蒸发源的形状、结构和蒸发源材料有 （3）热传导的损失热量 ;六、残余气体的组成及其影响;影响膜厚分布的因素： A）蒸发源的特性；;一、点蒸发源