PZT、BST铁电薄膜的制备教材教学课件.pptVIP

* PZT、BST铁电薄膜的制备 Fabrication of PZT and BST Ferroelectric Thin Films 主要内容 绪 论 PZT铁电薄膜Sol-Gel法制备及性能研究 Co掺杂PZT铁电薄膜的制备及性能研究 BST铁电薄膜的制备及性能研究 总结 1. 绪论1.1 铁电材料概述 铁电材料是指存在自发极化，且自发极化有两个或多个可能的取向，在电场的作用下，其取向可改变的一类材料。铁电材料的极化强度与外场的关系曲线类似于铁磁材料的磁滞回线，如图所示。 E=0, P=Pr P=0, E=Ec 铁电材料的应用研究进展 1952年贝尔电话实验室首次提出利用铁电材料的两个极化方向来实现计算机存储器中0和1的编码操作，制作铁电存储器 90年代初，随着微电子工业和集成工业的进步。几乎每隔几年，铁电存储器的生产就有一个突破性的进展 1994年，美日联合开发的Bi系层状结构的材料SrBi2Ta2O9制成的256KB存储器 目前，国际上许多大型半导体公司都十分重视FeRAM的研究 1.2 PZT材料结构特征 PZT是典型的钙钛矿型结构，化学通式为ABO3 这些含氧八面体的铁电氧化物的自发极化主要来源于B位离子偏离氧八面体中心的位移 1.3 PZT铁电薄膜的制备技术 溅射法 激光闪蒸 真空蒸发 化学气相沉积（CVD） 金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法 溶胶－凝胶（Sol-Gel）法 SOL-GEL法制备铁电薄膜的优点 能精确控制薄膜的组分，能制备大面积高质量薄膜 组分具有高度的均匀性 易于调整组分，易于进行微量、均匀掺杂 设备简单，成本低，适于产业化生产 2. PZT铁电薄膜制备 化学试剂 用量（mol） 硝酸锆（Zr(NO3)4?5H2O） 0.5 乙酸铅（Pb(CH3COO)2?3H2O） 1.15（过量15%） 钛酸四丁酯（Ti (OC4H9)4） 0.5 乙二醇甲醚（HO(CH2)2OCH3） 4.0 2.1 PZT先驱溶液的合成 PZT薄膜的制备流程 计算出各原材料的质量或体积 乙酸铅＋乙二醇甲醚，120℃回流加热30min 硝酸锆＋乙二醇甲醚，加热搅拌 钛酸四丁酯＋乙二醇甲醚，与上述两溶液混合 搅拌12h后，定容、过滤 ITO/glass基片上以3000～5000r/min的速度匀胶30s 400℃热处理4 min，500?600℃退火处理4 min 重复6、7步，最后一层在氧气气氛的条件下，在500?600℃退火处理20 min 2.2 PZT铁电薄膜的X射线衍射图 600℃时，PZT薄膜结晶程度最好 薄膜呈以（1 0 1）为首要方向的多晶结构 有（2 2 2）方向的焦绿石相 3. PCZT铁电薄膜制备及性能研究 乙酸钴（Co(CH3COO)2·4H2O） 工艺流程- as mentioned above 3.1 PCZT薄膜的制备 3.2 PCZT铁电薄膜的X射线衍射图 薄膜呈以（1 0 1）为首要方向的多晶结构 Co掺杂能够有效的抑制PZT薄膜中焦绿石相的产生 3.3 PCZT铁电薄膜的铁电性能 Proportion of Co-doped Pr (μC/cm2) EC (KV/cm) 0mol% 36.5 45.2 5mol% 43.8 51.6 10mol% 58.6 67.3 15mol% 42.0 68.9 Co掺杂后的PZT薄膜的剩余极化强度Pr明显增大, Co=10mol% , Pr=58.6 ?c/cm2 。这个值比大多数文献报道的掺杂或不掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度Pr大 。 PCZT薄膜的矫顽场Ec比PZT薄膜要大，而且随着掺杂比例的增大而增大。 PCZT薄膜的电滞回线图呈不对称形状，而且在较高外场下有向下弯曲的现象。 比较PZT与PCZT薄膜的铁电测试图： 主要解释1： 一般来说当铁电薄膜中存在有焦绿石相时，其电滞回线图将会呈现出一个比较纤细的形状，薄膜的剩余极化强度会比较小。从掺杂和不掺杂的PZT薄膜的XRD图来看，掺杂后的薄膜中含有的焦绿石相明显减少，甚至消失，这是导致Co掺杂后PZT薄膜的铁电性能加强的原因之一。 主要解释2： 铁电薄膜的居里温度点、自发极化、介电常数和矫顽场与掺杂后的离子替代有很大的关系。 由于Co2+的离子半径（0.75?）比Pb2+的离子半径（1.26 ?）要小得多，因而当钴离子在薄膜中替代铅离子的位置后会占据更少的空间，这样钴离子在氧八面体中会有更大的活动空间，从而能够产生更大的极距和更大的剩余极化强度。但是另一方面，钴离子在氧八面体中的活动空间大了以后会需要更大的能量让其回到原来的平衡位置，因而导致掺杂后的PZT薄膜有更大的矫