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课次19. 其他光电显示技术 1. 场发射平板显示（FED） 1. 1 场发射平板显示（FED）发展史 在半导体发明前，有源电子器件是真空电子管。 后来半导体器件、集成电路出现并迅猛发展，电子管微型化工作一度停了下来。 但是利用电子在真空中渡越的真空器件，由于电子运动速度远比固体中的电子漂移速度快，可以获得更高的开关速度和更快的工作频率。 真空微电子器件具有抗辐射，无加热源、可工作于极高和极低温的特性，非常适合军用和航天器。 如能解决生产成本问题也可进入民用。 FED是真空微电子学应用中的一个重要方面。 1. 1 场发射平板显示（FED）发展史 1928年，由R.H.Eowler与L.W.Nordheim共同提出了场发射电极理论。 1961年，K.R.Shoulders首次提出用电子束加工制造微米量级真空场致发射三极管概念。 1968年， C.A.Spindt首次报告钼锥场致发射阴极的制备，形成Spindt阴极概念。这是真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件，开启了运用场发射电子做为显示器技术。吸引后续研究者投入研究。 1970年，Crost提出使用Spindt阴极制备平板显示屏的设想。 1. 1 场发射平板显示（FED）发展史 1974年，Thomas首次报告场致发射硅尖制备技术。