场效电晶体闸极下方植入非对称氧化层之模拟分析.pdfVIP

2012 彰雲嘉大學校院聯盟學術研討會 101.12.07 場效電晶體閘極下方植入非對稱氧化層之模擬分析 1* 1 1 1 陳力源 張文俊楊明儒蘇聖謙 1南台科技大學71005 台南市永康區南台街一號 * ma030217@ stust.edu.tw 摘要 本文使用 Silvaco TCAD 模擬，所採用的基底結構為砷化鎵(GaAs) ，經過固定的離子佈植之平面閘 極場效電晶體，藉由閘極下植入非對稱絕緣氧化層與一般平面閘極結構比較，驗證植入閘極下氧化層的 新改良法可行性 。基於不更動製程物理極限寬度下，完成小於製程極限的可行方法，此方法可以減少開 發新製程的費用 ，並提升閘極截止電壓與最大汲極電流 。 關鍵字 ：場效電晶體、截止電壓 、砷化鎵 。