【2018年最新整理】电阻传感器.ppt

* * 对半导体材料： 式中： π——压阻系数； E——弹性模量； σ——应力； ε——应变。 由于半导体的πE一般可达50-100,比（1+2μ）2 大几十倍甚至上百倍，因此引起半导体材料电阻相对变化的主要原因是压阻效应，所以上式可近似写成： m m s K K K 100 ~ 50 = * * 晶体是具有多面体形态的固体，由分子、原子或离子有规则排列而成。这种多面体的表面由称为晶面的许多平面围合而成。晶面与晶面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置，通常引进一组对称轴线，称为晶轴，用X、Y、Z表示。 二、晶向的表示方法 扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅。单晶硅是各向异性材料，取向不同其特性不一样。而取向是用晶向表示的，所谓晶向就是晶面的法线方向。 * * ? C Z O B A X Y 1 1 晶体晶面的截距表示 硅为立方晶体结构，就取立方晶体的三个相邻边为X、Y、Z。在晶轴X、Y、Z上取与所有晶轴相交的某晶面为单位晶面，如图所示。 此晶面与坐标轴上的截距为OA、OB、OC。已知某晶面在X、Y、Z轴上的截距为OAx、OBy、OCz，它们与单位晶面在坐标轴截距的比可写成： * * 式中，p、q、r为没有公约数(1除外)的简单整数。为了方便取其倒数得： 式中，h、k、l也为没有公约数（1除外）的简单整数。依据上述关系式，可以看出截距OAx、OBy、OCz的晶面，能用三个简单整数h、k、l来表示。h、k、l称为密勒指数。 * * 而晶向是晶面的法线方向，根据有关的规定，晶面符号为(hkl)，晶面全集符号为{hkl}，晶向符号为 [hkl]，晶向全集符号为〈hkl〉。晶面所截的线段对于X轴，O点之前为正，O点之后为负；对于Y轴，O点右边为正，O点左边为负；对于Z轴，在O点之上为正，O点之下为负。 ? C Z O B A X Y 1 1 * * 依据上述规定的晶体符号的表示方法，可用来分析立方晶体中的晶面、晶向。 (110) [110] [100] (100) (111) [111] [001] [100] [010] [110] [100] [001] Z Y X 单晶硅内几种不同晶向与晶面 （b） （a） 对立方晶系（x=y=z,x⊥y⊥z),面指数为（hkl)的晶面与密勒指数为[hkl]的晶向彼此垂直。 * * 例： 晶向、晶面、晶面族分别为： 晶向、晶面、晶面族分别为： x y 1 1 1 z z x y 4 -2 -2 * * 判断两晶面垂直 两晶向A[h1k1l1 ]与B[h2k2l2]: * * 对于同一单晶，不同晶面上原子的分布不同。如硅单晶中，(1 1 1)晶面上的原子密度最大，(1 0 0)晶面上原子密度最小。各晶面上的原子密度不同，所表现出的性质也不同，如(1 1 1)晶面的化学腐蚀速率为各向同性，而(1 0 0)晶面上的化学腐蚀速率为各向异性。 单晶硅是各向异性的材料，取向不同，则压阻效应也不同。硅压阻传感器的芯片，就是选择压阻效应最大的晶向来布置电阻条的。同时利用硅晶体各向异性、腐蚀速率不同的特性，采用腐蚀工艺来制造硅的压阻芯片。 * * 三、压阻系数 1、单晶硅的压阻系数 六个独立的应力分量： 六个独立的电阻率的变化率： 半导体电阻的相对变化近似等于电阻率的相对变化，而电阻率的相对变化与应力成正比，二者的比例系数就是压阻系数。 π压阻系数 * * 电阻率的变化与应力分量之间的关系: * * 分析: 剪切应力不可能产生正向压阻效应 正向应力不可能产生剪切压阻效应 剪切应力只能在剪切应力平面内产生压阻效应 剪切压阻系数相等 正向压阻系数相等 横向压阻系数相等 分别为纵向、横向和剪切方向的压阻系数 * * 对P型硅(掺杂三价元素）： π11、 π12≈0，只考虑π44 ： 对N型硅(掺杂五价元素） ： π44 ≈0 ， π12 ≈ -1/2π11 ， 晶体 导电类型 电阻率 （Ω.m) π11 π 12 π 44 Si P N 7.8 11.7 +6.6 -102.2 -1.1 +53.4 +138.1 -13.6 压阻系数（×10-11m2/N） * * p Q 2、任意方向（P方向）电阻变化 σ// σ⊥ 1 2 3 I σ∥： 纵向应力 σ⊥ ：横向应力 π∥：纵向压阻系数 π ⊥: 横向压阻系数 * * 将各个压阻系数向P、Q方向投影: 已知： (l1,m1,n1):P方向余弦 (l2,m2,n2):Q方